深南电路股份有限公司郭伟静获国家专利权
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龙图腾网获悉深南电路股份有限公司申请的专利嵌入式电子器件及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113365411B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010140905.4,技术领域涉及:H05K1/02;该发明授权嵌入式电子器件及其制作方法是由郭伟静;王蓓蕾设计研发完成,并于2020-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本嵌入式电子器件及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种嵌入式电子器件及其制作方法,该嵌入式电子器件包括:第一基板;第一磁芯,嵌入于第一基板中;位于第一基板上且位于第一磁芯两侧的第一线路及第二线路;多个第一导电元件,位于第一基板中,连接第一线路与第二线路以形成绕第一磁芯传输电流的线圈回路;第一屏蔽层,位于第一线路背对第一磁芯的一侧,用于屏蔽外界电磁干扰。本发明能够减少外界信号对电子器件的信号干扰。
本发明授权嵌入式电子器件及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种嵌入式电子器件,其特征在于,包括: 第一基板;所述第一基板的介电损耗小于或等于0.02; 第一磁芯,嵌入于所述第一基板中; 位于所述第一基板上且位于所述第一磁芯两侧的第一线路及第二线路; 多个第一导电元件,位于所述第一基板中,连接所述第一线路与所述第二线路以形成绕所述第一磁芯传输电流的线圈回路; 第一屏蔽层,位于所述第一线路背对所述第一磁芯的一侧,用于屏蔽外界电磁干扰; 中心抽头;所述中心抽头连接所述第一线路和或第二线路并接地; 绝缘层,设置于所述第一线路与所述第一屏蔽层之间; 其中,所述绝缘层与所述第一屏蔽层上设有位置对应的过孔,所述第一屏蔽层通过所述过孔与所述中心抽头连接并接地;或, 所述第一屏蔽层上设有接地线以将所述第一屏蔽层接地。
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