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龙图腾网获悉QORVO美国公司申请的专利RF半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113614896B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080023383.8，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权RF半导体装置及其制造方法是由朱利奥·C·科斯塔;迈克尔·卡罗尔设计研发完成，并于2020-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本RF半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种射频装置，所述射频装置包含传递装置管芯和位于所述传递装置管芯之下的多层重新分布结构。所述传递装置管芯包含装置区域和传递衬底，所述装置区域具有后段制程BEOL部分和位于所述BEOL部分之上的前段制程FEOL部分。所述FEOL部分包含隔离区段和有源层，所述有源层被所述隔离区段围绕。所述装置区域的顶表面是平坦化的。所述传递衬底位于所述装置区域的所述顶表面之上。在本文中，在所述传递衬底内或在所述传递衬底与所述有源层之间不存在硅晶体。所述多层重新分布结构包含多个凸起结构，所述多个凸起结构位于所述多层重新分布结构的底部处并且电耦接到所述传递装置管芯的所述FEOL部分。

本发明授权RF半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种射频装置，包括： 传递装置管芯，所述传递装置管芯包括装置区域和传递衬底，其中： 所述装置区域包含钝化层、前段制程部分和位于所述前段制程部分之下的后段制程部分，其中所述前段制程部分包括隔离区段和有源层； 所述有源层的底表面和每个隔离区段的底表面基本共面，所述有源层未竖直延伸超过每个隔离区段的顶表面，并且所述有源层被所述隔离区段围绕； 所述隔离区段由二氧化硅形成； 所述钝化层由二氧化硅形成，位于所述有源层之上并被所述隔离区段围绕； 每个隔离区段的顶表面和所述钝化层的顶表面共面并形成所述装置区域的顶表面，所述装置区域的顶表面是平坦化的；并且 所述传递衬底位于所述装置区域的所述顶表面之上，其中在所述传递衬底内或在所述传递衬底与所述装置区域内的所述有源层之间不存在不具有锗、氮或氧含量的硅晶体；以及 多层重新分布结构，所述多层重新分布结构形成于所述传递装置管芯的所述后段制程部分之下，其中所述多层重新分布结构包括多个凸起结构，所述多个凸起结构位于所述多层重新分布结构的底表面上并且电耦接到所述传递装置管芯的所述前段制程部分。

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