纳晶科技股份有限公司柯友获国家专利权
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龙图腾网获悉纳晶科技股份有限公司申请的专利一种光电器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140677B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010062641.5，技术领域涉及：H10K85/10；该发明授权一种光电器件及其制备方法是由柯友;郭蔷设计研发完成，并于2020-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光电器件及其制备方法，该光电器件包括阳极层、阴极层以及功能层，功能层设于阳极层和阴极层之间，功能层包括空穴传输层、界面层以及钙钛矿层，界面层设于空穴传输层和钙钛矿层之间，界面层的材料为两性离子聚合物，两性离子聚合物具有正电荷基团和负电荷基团。从而通过在空穴传输层和钙钛矿层之间增加界面层来填补界面缺陷，缓解空穴传输层的荧光猝灭现象，提高钙钛矿层的荧光量子效率。
本发明授权一种光电器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电器件，其特征在于，包括阳极层、阴极层以及功能层，所述功能层设于所述阳极层和所述阴极层之间，所述功能层包括空穴传输层、界面层以及钙钛矿层，所述界面层设于所述空穴传输层和所述钙钛矿层之间，所述界面层的材料为两性离子聚合物，所述两性离子聚合物具有正电荷基团和负电荷基团，其中，所述正电荷基团为含N、C、S或P的阳离子基团，所述负电荷基团为磷酸根、磷酸酯根、亚磷酸根、羧酸根、磺酸根、硫酸根或磺酰胺根，所述两性离子聚合物的化学结构如式（1）~（3）中任一所示： ； 其中，x=0~10，n=10~1000，R⊕为两性离子聚合物中的正电荷基团,为两性离子聚合物中的负电荷基团。
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