半导体元件工业有限责任公司T·马尔多获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利功率半导体器件封装件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111554666B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010011859.8,技术领域涉及:H01L25/07;该发明授权功率半导体器件封装件是由T·马尔多;李根赫;J·蒂萨艾尔设计研发完成,并于2020-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件封装件在说明书摘要公布了:本发明题为“功率半导体器件封装件”。在总体方面,半导体器件封装件可以包括引线框。半导体器件封装件还可以包括与引线框的第一部分的第一侧耦接的第一半导体管芯以及与引线框的第一部分的第二侧耦接的第二半导体管芯。半导体器件封装件还可以包括与第一半导体管芯的第二侧耦接的第一衬底。该第一衬底可以进一步与引线框的第二部分的第一侧以及引线框的第三部分的第一侧耦接。半导体器件封装件还可以进一步包括与第二半导体管芯的第二侧耦接的第二衬底。该第二衬底可以进一步与引线框的第二部分的第二侧以及引线框的第三部分的第二侧耦接。
本发明授权功率半导体器件封装件在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件封装件,包括: 引线框,所述引线框具有第一部分、第二部分和第三部分; 第一半导体管芯,所述第一半导体管芯具有与所述引线框的所述第一部分的第一侧耦接的第一侧; 第二半导体管芯,所述第二半导体管芯具有与所述引线框的所述第一部分的第二侧耦接的第一侧; 包含陶瓷的第一衬底,所述第一衬底具有与所述第一半导体管芯的第二侧耦接的第一侧,所述第一衬底的第一侧还与所述引线框的所述第二部分的第一侧以及所述引线框的所述第三部分的第一侧耦接; 包含陶瓷的第二衬底,所述第二衬底具有与所述第二半导体管芯的第二侧耦接的第一侧,所述第二衬底的第一侧还与所述引线框的所述第二部分的第二侧以及所述引线框的所述第三部分的第二侧耦接;和 模塑料,所述模塑料完全包封所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯;并且部分包封所述引线框、所述第一衬底和所述第二衬底, 所述引线框包括设置在所述模塑料外部的多个信号引线,并且 所述第一衬底的第二侧和所述第二衬底的第二侧通过所述模塑料暴露。
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