三星电子株式会社郑在珉获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利覆晶薄膜及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111477593B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910983732.X，技术领域涉及：H01L23/14；该发明授权覆晶薄膜及其制造方法是由郑在珉设计研发完成，并于2019-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本覆晶薄膜及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种覆晶薄膜及其制造方法，所述覆晶薄膜包括：绝缘薄膜，包括用于接合到外部器件的接合区；多个互连件，设置在绝缘薄膜上且局部地延伸到接合区中；以及集成电路IC芯片，设置在绝缘薄膜上以电连接到所述多个互连件。覆晶薄膜还包括：阻焊剂，被设置成覆盖除接合区以外的绝缘薄膜且覆盖除延伸到接合区中的部分以外的所述多个互连件；以及台阶部，位于接合区与阻焊剂之间。台阶部形成防止阻焊剂流动到接合区中的边界。本公开的覆晶薄膜可减小显示器件的圈口的宽度。
本发明授权覆晶薄膜及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种覆晶薄膜，包括： 绝缘薄膜，包括用于接合到外部器件的接合区； 多个互连件，设置在所述绝缘薄膜上且局部地延伸到所述接合区中； 集成电路芯片，设置在所述绝缘薄膜上以电连接到所述多个互连件； 阻焊剂，被设置成覆盖除所述接合区以外的所述绝缘薄膜且覆盖除延伸到所述接合区中的部分以外的所述多个互连件；以及 台阶部，位于所述接合区与所述阻焊剂之间，所述台阶部形成防止所述阻焊剂流动到所述接合区中的边界，其中所述台阶部是位于所述多个互连件及所述绝缘薄膜的表面中的沟槽。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市灵通区三星路129号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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