应用材料公司黄祖滨获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利非晶硅的远程电容耦合等离子体沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112005342B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980027478.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权非晶硅的远程电容耦合等离子体沉积是由黄祖滨;程睿;C-A·陈;K·嘉纳基拉曼设计研发完成，并于2019-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本非晶硅的远程电容耦合等离子体沉积在说明书摘要公布了：提供一种用于沉积非晶硅材料的方法，并且所述方法包括：在与工艺腔室流体连通的等离子体单元内产生等离子体；和使所述等离子体流动穿过离子抑制器以产生含有反应性物种和中性物种的活化流体。所述活化流体不含离子或者含有比所述等离子体更低浓度的离子。所述方法进一步包括：使所述活化流体流入所述工艺腔室内的双通道喷头的第一入口；和使硅前驱物流入所述双通道喷头的第二入口。此后，所述方法包括：使所述活化流体和所述硅前驱物的混合物从所述双通道喷头流出；和在所述工艺腔室中设置的基板上形成非晶硅层。
本发明授权非晶硅的远程电容耦合等离子体沉积在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 在与工艺腔室流体连通的等离子体单元内产生等离子体，其中所述等离子体单元包括由离子抑制器分离的面板和离子阻挡器； 使所述等离子体流动穿过所述离子抑制器以产生包括反应性物种和中性物种的活化流体，其中所述活化流体具有比所述等离子体的离子浓度低50％至99％的离子浓度； 使所述活化流体流入所述工艺腔室内的双通道喷头的第一入口； 使硅前驱物流入所述双通道喷头的第二入口； 使所述活化流体和所述硅前驱物的混合物从所述双通道喷头流出；和 在所述工艺腔室中设置的基板上形成非晶硅层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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