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龙图腾网获悉无锡展硕科技有限公司申请的专利一种半导体薄膜物理气相沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120555973B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511054666.X，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种半导体薄膜物理气相沉积设备是由季中伟设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体薄膜物理气相沉积设备在说明书摘要公布了：本发明涉及应用于半导体相关技术领域的一种半导体薄膜物理气相沉积设备，通过双向冷却单元的设置，在对跑道区进行冷却时，可不断交替更换进水以及出水的方向，进而缩小水平状冷却流道进水口以及出水口之间的温差，使得对跑道区冷却的均匀性得到提高，进而使半导体表面成膜更加均匀；另外配合推液板的作用，能隔离新进冷却水以及已经吸热后冷却液，使吸热后的冷却液能充分外排，有效避免死水情况的发生，进一步提高冷却均匀性；同时，推液板还能在新进的和已吸热的冷却液交界处进行扰动，进而使交界处的温度过度更加自然，有效避免出现局部过大的温差出现，维持薄膜的稳定均匀成型。

本发明授权一种半导体薄膜物理气相沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体薄膜物理气相沉积设备，其特征在于：包括控制柜（1），所述控制柜（1）上端从左至右依次固定安装有载入箱（21）、溅射箱（22）以及载出腔（23），所述载入箱（21）和溅射箱（22）之间、溅射箱（22）与载出腔（23）之间均固定连接有过渡通道（24），两个所述过渡通道（24）连通载入箱（21）、溅射箱（22）以及载出腔（23），所述载入箱（21）和载出腔（23）上端均密封安装有箱门（201），所述载入箱（21）、溅射箱（22）以及载出腔（23）的内腔均固定安装有传送带（4），三个所述传送带（4）的端部均延伸至对应的过渡通道（24）内，所述载入箱（21）内传送带（4）的上端固定连接有托盘（3），所述托盘（3）上端开凿有放置槽； 所述溅射箱（22）上端固定连接有三个靶材组件（5），三个所述靶材组件（5）的下端贯穿溅射箱（22）并延伸至溅射箱（22）内部，所述靶材组件（5）包括与溅射箱（22）固定连接的基座（51）、通过螺栓固定连接在基座（51）下端的靶材（52）以及密封固定在基座（51）上端的外罩（53），所述基座（51）上端还固定连接有两个把手（501），所述外罩（53）位于两个基座（51）之间，所述基座（51）上端开凿有矩形通槽，所述靶材（52）上端固定连接有强磁板（502），所述强磁板（502）位于矩形通槽内，所述矩形通槽的口部固定连接有隔离层（503），所述基座（51）和外罩（53）的空间内设置有双向冷却单元（6），所述双向冷却单元（6）位于强磁板（502）正上方； 所述双向冷却单元（6）包括平流壳（61）、固定连接在平流壳（61）左右两端之间的双向进水导管和双向排水导管、以及分别固定连接在双向进水导管和双向排水导管末端的排水主管（601）和进水主管（602），所述排水主管（601）和进水主管（602）均贯穿外罩（53）并延伸至外界； 所述双向排水导管包括两个排水支管（62），所述双向进水导管包括两个进水支管（63），两个所述排水支管（62）相互靠近端部之间、以及两个进水支管（63）相互靠近端部之间均固定连接有智能三通阀门（64），两个所述智能三通阀门（64）的第三个端口分别与排水主管（601）以及进水主管（602）固定并相通，两个所述智能三通阀门（64）的两个水平端口均不同时开启，且两个智能三通阀门（64）的开口方向相反，所述排水支管（62）靠近平流壳（61）的底部，所述进水支管（63）靠近平流壳（61）的顶部。

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