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龙图腾网获悉苏州领慧立芯科技有限公司申请的专利一种多路双向限流保护电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120545932B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511044641.1，技术领域涉及：H02H9/02；该发明授权一种多路双向限流保护电路及方法是由仲戍;李亚;祝华伟设计研发完成，并于2025-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多路双向限流保护电路及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路测试技术领域，具体公开一种多路双向限流保护电路及方法，该保护电路包括：电流通路，包括依次电连接的第一NMOS功率管、第一电阻、第二电阻和第二NMOS功率管；采样控制单元，包括第一NPN管、第二NPN管和多个控制电阻，用于对第一电阻和第二电阻的总电压进行采样，并基于采样的总电压值调整第一NMOS功率管和第二NMOS功率管的栅极电压，限制电流通路的电流。本发明通过第一NPN管、第二NPN管和多个控制电阻于对第一电阻和第二电阻的总电压进行采样，并基于采样的总电压值调整第一NMOS功率管和第二NMOS功率管的栅极电压，使二者均工作在饱和区，从而限制电流通路的电流，从而有效保护了测试硬件上的探针和弹簧针。

本发明授权一种多路双向限流保护电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种多路双向限流保护电路，其特征在于，每路保护电路包括： 电流通路，包括依次电连接的第一NMOS功率管、第一电阻、第二电阻和第二NMOS功率管； 采样控制单元，包括第一NPN管、第二NPN管和多个控制电阻，用于对所述第一电阻和第二电阻的总电压进行采样，并基于采样的总电压值调整所述第一NMOS功率管和第二NMOS功率管的栅极电压，使二者均工作在饱和区，从而限制所述电流通路的电流； 所述第一NMOS功率管的漏极与自动化测试设备的总大电流通路电连接，源极与所述第一电阻的一端电连接； 所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端电连接，所述第二电阻的另一端与所述第二NMOS功率管的源极电连接； 所述第二NMOS功率管的漏极与需要保护的测试硬件电连接； 每路保护电路还包括第一电容和第二电容； 所述多个控制电阻包括第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和第八电阻； 所述第一电容跨接于所述第一NMOS功率管的栅漏极之间，所述第二电容跨接于所述第二NMOS功率管的栅漏极之间； 所述第一NPN管的基极与所述第二NMOS功率管的源极电连接，集电极经所述第三电阻与所述第一NMOS功率管的栅极电连接，发射集经所述第四电阻与第一NMOS功率管的源极电连接； 所述第二NPN管的基极与所述第一NMOS功率管的源极电连接，集电极经所述第七电阻与所述第二NMOS功率管的栅极电连接，发射集经所述第六电阻与第二NMOS功率管的源极电连接； 所述第一电阻的另一端还分别与所述第五电阻和第八电阻的一端电连接； 所述第五电阻的另一端分别与所述第一NMOS功率管和第二NMOS功率管的栅极电连接，且该端作为栅极控制端； 所述第八电阻的另一端作为浮动参考端。

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