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龙图腾网获悉深圳长晶微电子有限公司申请的专利非对称的半导体放电管芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120529601B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511020556.1，技术领域涉及：H10D18/80；该发明授权非对称的半导体放电管芯片及其制作方法是由周雄标;刘宗贺;吴沛冬;郭佳秋;周子民;余强;廖泽华;徐红英;李金英设计研发完成，并于2025-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本非对称的半导体放电管芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非对称的半导体放电管芯片，其包括基板、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区、多个第五掺杂区、多个第六掺杂区、第一电极及第二电极。本发明还公开了一种非对称的半导体放电管芯片的制作方法。发明的非对称的半导体放电管芯片在第一掺杂区内形成深度从两侧到中间依次减小的多个第五掺杂区，在第二掺杂区内形成宽度从两侧到中间依次增大的多个第六掺杂区，使芯片形成NPN‑PNP双三极管，不仅能满足正极到负极的低压快速导通，还能满足负极到正极的高压快速放电，从而实现正向、负向过压不同保护阈值的双向保护功能。本发明还具有结构简单、制备工艺环保，且保护性能稳定可靠等特点。

本发明授权非对称的半导体放电管芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种非对称的半导体放电管芯片，其特征在于，该芯片包括： 基板，包括相对的上表面和下表面； 第一掺杂区，其为由基板的上表面向下延伸的凹槽结构，所述第一掺杂区与所述基板之间连接有第一PN结； 第二掺杂区，其为由基板的下表面向上延伸的凹槽结构，所述第二掺杂区与所述基板之间连接有第二PN结； 第三掺杂区，设于所述第一PN结的端部位置，其为外侧由基板的上表面向下延伸、内侧由第一掺杂区的上表面向下延伸的环形槽状结构，所述第三掺杂区与所述第一掺杂区之间连接有第三PN结，且所述第三PN结的反向雪崩电压小于第一PN结的反向雪崩电压； 第四掺杂区，设于所述第二PN结的端部位置，其为外侧由基板的下表面向上延伸、内侧由第二掺杂区的下表面向上延伸的环形槽状结构，所述第四掺杂区与所述第二掺杂区之间连接有第四PN结，且所述第四PN结的反向雪崩电压小于第二PN结的反向雪崩电压； 多个第五掺杂区，间隔设于所述第三掺杂区的内侧，且所述第五掺杂区的深度从两侧到中间依次减小，所述各第五掺杂区分别与所述第一掺杂区之间连接有第五PN结； 多个第六掺杂区，间隔设于所述第四掺杂区的内侧，且所述各第六掺杂区的宽度从两侧到中间依次增大，所述各第六掺杂区分别与所述第二掺杂区之间连接有第六PN结； 第一电极，其分别与所述第一掺杂区及第五掺杂区连接； 第二电极，其分别与所述第二掺杂区及第六掺杂区连接。

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