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龙图腾网获悉深圳市中科光芯半导体科技有限公司申请的专利一种垂直腔面发射激光器的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120545791B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511020833.9，技术领域涉及：H01S5/02212；该发明授权一种垂直腔面发射激光器的封装方法是由郑君雄;郭丁凯;黄爽;郑春海设计研发完成，并于2025-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直腔面发射激光器的封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及激光器封装技术领域，具体涉及一种垂直腔面发射激光器的封装方法，该方法包括：TO封装之前，获取若干个Z轴距离下的管座图像；根据每个距离下的管座图像分析管座图像模糊情况，确定每个距离下的管座图像的优选发光点中心位置；根据相邻距离下的管座图像中优选发光点中心位置的变化情况确定TO管帽的倾斜程度，利用倾斜程度进行管座的同轴偏移量矫正；基于同轴偏移量矫正后的TO管座与TO管帽的对准结果，进行TO封装。本发明通过克服图像模糊导致的反光中心位置确认偏移的缺陷，显著增强了TO器件的耦合效率和封装一致性。

本发明授权一种垂直腔面发射激光器的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器的封装方法，其特征在于，包括以下步骤： 在垂直腔面发射激光器TO封装之前，获取若干个距离下的管座图像；其中，所述距离为TO管座与TO管帽间的Z轴距离； 根据每个距离下的管座图像分析管座图像模糊情况，确定每个距离下的管座图像的优选发光点中心位置； 根据相邻距离下的管座图像中所述优选发光点中心位置的变化情况确定所述TO管帽的倾斜程度，利用所述倾斜程度进行管座的同轴偏移量矫正； 基于同轴偏移量矫正后的TO管座与TO管帽的对准结果，进行TO封装； 所述根据每个距离下的管座图像分析管座图像模糊情况，确定每个距离下的管座图像的优选发光点中心位置，包括： 对于每个距离下的管座图像，使管座图像进行边缘检测得到各个边缘连通域，基于各个边缘连通域确定管座图像的模糊程度； 根据所述管座图像的模糊程度，结合所述边缘连通域的预测圆心位置，确定每个所述边缘连通域的梯度修正程度； 利用所述梯度修正程度对所述管座图像中每个像素点的原始梯度值进行修正，得到每个像素点的修正梯度值； 根据管座图像中每个像素点的修正梯度值，确定管座图像的优选发光点中心位置。

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