苏州中瑞宏芯半导体有限公司张振中获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州中瑞宏芯半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120529620B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511019520.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由张振中;刘迅航;王廷廷设计研发完成，并于2025-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件可以包括碳化硅本体、栅极沟槽、本体区、源极区以及屏蔽区，栅极沟槽开设于碳化硅本体的第一表面；本体区构成栅极沟槽的部分侧壁；源极区构成栅极沟槽的部分侧壁，源极区位于本体区与第一表面之间；屏蔽区从第一表面延伸到碳化硅本体中，且设置于栅极沟槽两侧，屏蔽区包括位于多个栅极沟槽中任意相邻的两个栅极沟槽之间的半包围屏蔽区；其中，半包围屏蔽区构成两个栅极沟槽中的一个栅极沟槽的侧壁和部分底部，且覆盖位于两个栅极沟槽之间的源极区的远离本体区的一侧；位于两个栅极沟槽之间的源极区中的远离半包围屏蔽区的一侧，部分地暴露于两个栅极沟槽中的另一个栅极沟槽。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 碳化硅本体； 多个栅极沟槽，开设于所述碳化硅本体的第一表面； 本体区，构成至少一个所述栅极沟槽的部分侧壁； 源极区，构成至少一个所述栅极沟槽的部分侧壁，且位于所述本体区与所述第一表面之间； 屏蔽区，从所述第一表面延伸到所述碳化硅本体，且位于所述栅极沟槽两侧，所述屏蔽区包括： 半包围屏蔽区，位于所述多个栅极沟槽中相邻的两个栅极沟槽之间，且构成所述两个栅极沟槽中的一个栅极沟槽的侧壁和部分底部，并覆盖位于所述两个栅极沟槽之间的所述源极区远离所述本体区的一侧， 其中，位于所述两个栅极沟槽之间的所述源极区中远离所述半包围屏蔽区的一侧部分地暴露于所述两个栅极沟槽中的另一个栅极沟槽。
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