深圳辰达半导体有限公司马奕勉获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳辰达半导体有限公司申请的专利一种SiC功率器件的多层电路保护结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120528220B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511009278.X，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权一种SiC功率器件的多层电路保护结构是由马奕勉;马延溢设计研发完成，并于2025-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC功率器件的多层电路保护结构在说明书摘要公布了：本发明涉及SiC功率器件技术领域，具体地说，涉及一种SiC功率器件的多层电路保护结构。其包括至少两个SiC功率器件，所述SiC功率器件并联设置；一驱动电路，所述驱动电路对应每一个SiC功率器件的门级均连接有一开通路径和一关断路径。本发明通过对驱动电路的改进，实现驱动电路通过差异化调节各器件的门极电阻，抵消Vgs‑th差异导致的开关时间差，从而减少或补偿由Vgs‑th差异造成的开通和关断时间差，解决因Vgs‑th差异较大导致发生热失控的问题。
本发明授权一种SiC功率器件的多层电路保护结构在权利要求书中公布了：1.一种SiC功率器件的多层电路保护结构，包括： 至少两个SiC功率器件，所述SiC功率器件并联设置； 一驱动电路，所述驱动电路对应每一个SiC功率器件的门级均连接有一开通路径和一关断路径，其特征在于，所述开通路径上设置一开通门极电阻，所述关断路径上设置一关断门极电阻； 还包括： 第一SiC功率器件，其为所述SiC功率器件中的一个； 第二SiC功率器件，其为所述SiC功率器件中的另一个； 开通时间差，其为第一SiC功率器件开通所需时间与第二SiC功率器件开通所需时间的差值，所述开通时间差为正值； 关断时间差，其为第一SiC功率器件关断所需时间与第二SiC功率器件关断所需时间的差值，所述关断时间差为负值； 开通延迟时间，其为所述开通门极电阻延迟第二SiC功率器件开通的时间； 关断缩短时间，其为所述关断门极电阻缩短第二SiC功率器件关断的时间； 其中，所述开通时间差等于开通延迟时间，所述关断时间差等于关断缩短时间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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