麦斯塔微电子(深圳)有限公司黄寿获国家专利权
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龙图腾网获悉麦斯塔微电子(深圳)有限公司申请的专利MEMS谐振器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120512119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511001643.2，技术领域涉及：H03H9/24；该发明授权MEMS谐振器及其制备方法是由黄寿设计研发完成，并于2025-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本MEMS谐振器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及谐振器技术领域，公开了一种MEMS谐振器及其制备方法，MEMS谐振器制备方法包括：形成一高掺杂的单晶硅掺杂层，以作为支撑基底；在所述单晶硅掺杂层上形成压电材料层；通过磁控溅射工艺，在具有第一目标压力的设备腔室中，以设定沉积速率在所述压电材料层上形成合金材料层；刻蚀所述单晶硅掺杂层、所述压电材料层和所述合金材料层构建的叠层结构层，形成谐振器本体、连接梁及锚固件，其中，所述谐振器本体经所述连接梁与所述锚固件连接。本申请提高MEMS谐振器的机电耦合效率和品质因数，以及保证MEMS谐振器的温度稳定性。
本发明授权MEMS谐振器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS谐振器制备方法，其特征在于，包括： 形成一高掺杂的单晶硅掺杂层，以作为支撑基底； 在所述单晶硅掺杂层上形成压电材料层； 通过磁控溅射工艺，在具有第一目标压力的设备腔室中，以设定沉积速率在所述压电材料层上形成合金材料层，包括在所述设备腔室中配置Fe-36Ni合金靶，对所述设备腔室进行抽真空，且使所述设备腔室达到目标真空度，向所述设备腔室通入氩气，直至所述设备腔室达到所述第一目标压力，以第一溅射功率作用于所述Fe-36Ni合金靶，使所述合金材料层以所述设定沉积速率形成在压电材料层上，其中，所述Fe-36Ni合金靶的Fe与Ni的原子比为64:36； 刻蚀所述单晶硅掺杂层、所述压电材料层和所述合金材料层构建的叠层结构层，形成谐振器本体、连接梁及锚固件，其中，所述谐振器本体经所述连接梁与所述锚固件连接。
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