江苏芯德半导体科技股份有限公司程钱钱获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利一种晶圆级砷化镓芯片散热封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120511238B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510994610.6，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权一种晶圆级砷化镓芯片散热封装结构及封装方法是由程钱钱;张梦瑞;张卫设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆级砷化镓芯片散热封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆级砷化镓芯片散热封装结构及封装方法，该封装结构中将主芯片和砷化镓芯片通过重布线层实现平面互联，在砷化镓芯片背面涂覆有高导热或高导热散热胶或贴有高导热DAF膜与上方的高导热晶片粘贴，形成高密度的互联重构芯片，重构芯片通过金属凸点与基板焊接互联，在基板与重构芯片顶部盖有散热盖，或者在基板上贴装散热环同时在重构芯片顶部盖有散热鳍片，使散热盖或散热鳍片与高导热晶片直接粘接接触，砷化镓芯片经高导热晶片、散热盖或散热鳍片将内部热量传导出去。本申请相较于传统的砷化镓芯片嵌入式封装结构而言，塑封料减少且塑封厚度减薄，能够减少翘曲，就封装方法而言能降低加工难度，且导热效果显著提高。
本发明授权一种晶圆级砷化镓芯片散热封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级砷化镓芯片散热封装结构，其特征在于，包括主芯片、砷化镓芯片、高导热晶片和重布线层，所述主芯片和砷化镓芯片设于重布线层的同一侧，且主芯片和砷化镓芯片通过重布线层实现平面互联，所述砷化镓芯片的顶部通过高导热银胶或高导热散热胶或高导热DAF膜贴装高导热晶片，所述主芯片、砷化镓芯片和高导热晶片的四周塑封形成塑封层，所述高导热晶片的背面暴露于塑封层的表面，所述重布线层的另一侧设于金属凸点。
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