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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种半导体退火方法、系统及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120432384B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510933973.9，技术领域涉及：H01L21/324；该发明授权一种半导体退火方法、系统及存储介质是由谢利华;刘欣;唐卓睿;彭定强;高桑田设计研发完成，并于2025-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体退火方法、系统及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件制备技术领域，本发明公开了一种半导体退火方法、系统及存储介质，包括：根据晶圆结构划分为中心区、过渡区和边缘区，并计算区域间的中心过渡协同增益与过渡边缘协同增益；对各区域红外高温计进行独立校准；基于校准结果依次整定中心区、过渡区和边缘区的PID控制参数；基于整定完成的PID参数对晶圆进行协同加热控制，直至退火处理完成；本发明通过主从协同增益控制实现晶圆各区域温度的实时跟随，提升了退火过程中晶圆各区域之间的温度均匀性，有效解决退火处理过程中边缘区域温度滞后或过热问题，确保半导体退火工艺的性能一致性。

本发明授权一种半导体退火方法、系统及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体退火方法，其特征在于，包括： 根据晶圆结构将晶圆划分为中心区、过渡区和边缘区，并计算各区域间的协同增益权重值，以得到中心过渡协同增益和过渡边缘协同增益； 对各区域的红外高温计进行独立校准； 待校准完成后，则对中心区进行PID控制参数整定，以得到中心区PID控制参数； 基于中心区PID控制参数和中心过渡协同增益，对过渡区进行PID控制参数整定，以得到过渡区PID控制参数； 基于过渡区PID控制参数和过渡边缘协同增益，对边缘区进行PID控制参数整定，以得到边缘区PID控制参数； 对晶圆进行退火处理，并基于中心区PID控制参数、过渡区PID控制参数和边缘区PID控制参数对晶圆各区域的温度进行协同控制，直至退火处理完成； 所述根据晶圆结构将晶圆划分为中心区、过渡区和边缘区，并计算各区域间的协助增益权重值，以得到中心过渡协同增益和过渡边缘协同增益，包括：根据晶圆结构将晶圆划分为中心区、过渡区和边缘区；获取中心区和过渡区之间的接触面积和中心点等效传热距离，并结合晶圆基片材料的热导率参数进行增益计算，以得到中心过渡协同增益；获取过渡区和边缘区之间的接触面积和中心点等效传热距离，并结合晶圆基片材料的热导率参数进行增益计算，以得到过渡边缘协同增益； 所述中心过渡协同增益和过渡边缘协同增益的计算公式如下： ； ； 其中，为区域i和区域j之间的热导；为区域i和区域j之间的接触面积；为区域i和区域j之间中心点的等效传热距离；为区域i和区域j界面处的等效热导率；为区域i和区域j之间的协同增益；为区域i的相邻区域集合；为区域i和相邻区域k之间的热导。

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