深圳新声半导体有限公司冯端获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳新声半导体有限公司申请的专利一种声表面波滤波器及声表面波滤波器的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120454675B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510933926.4，技术领域涉及：H03H9/64；该发明授权一种声表面波滤波器及声表面波滤波器的形成方法是由冯端;邹洁设计研发完成，并于2025-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种声表面波滤波器及声表面波滤波器的形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种声表面波滤波器及声表面波滤波器的形成方法，声表面波滤波器包括：衬底，包括基底和位于基底上的压电层，衬底包括叉指区、连接区、以及位于连接区和叉指区之间的间隔区，叉指区、连接区和间隔区沿第一方向排列；电极层，位于压电层背离基底一侧的部分表面，电极层包括多个位于叉指区表面的叉指电极，多个叉指电极沿第二方向平行排列；每个叉指电极包括叉指部和位于叉指部两端的缓冲部，缓冲部包括第一部以及位于第一部和叉指部之间的第二部，第一部在第二方向上的尺寸大于叉指部在第二方向上的尺寸，第二部在第二方向上的尺寸自第一部至叉指部逐渐减小。通过上述技术方案中质量块的设置，能够提高对横向模式和杂波的抑制能力。
本发明授权一种声表面波滤波器及声表面波滤波器的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括： 衬底，包括基底以及位于所述基底上的压电层，所述衬底包括叉指区、位于所述叉指区两侧的连接区、以及位于所述连接区和所述叉指区之间的间隔区，所述叉指区、所述连接区和所述间隔区沿第一方向排列，所述第一方向平行于所述衬底的表面； 电极层，位于所述压电层背离所述基底一侧的部分表面，所述电极层包括多个位于所述叉指区表面的叉指电极，多个叉指电极沿第二方向平行排列，所述第二方向平行于所述衬底的表面且与所述第一方向垂直； 其中，每个所述叉指电极包括叉指部、以及分别位于所述叉指部两端的缓冲部，所述缓冲部包括第一部以及位于第一部和所述叉指部之间的第二部，所述第一部在所述第二方向上的尺寸大于所述叉指部在所述第二方向上的尺寸，所述第二部在所述第二方向上的尺寸自所述第一部至所述叉指部逐渐减小； 所述叉指区包括IDT区域，所述叉指部构成所述IDT区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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