龙腾半导体股份有限公司麻泽众获国家专利权
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龙图腾网获悉龙腾半导体股份有限公司申请的专利一种抑制晶圆翘曲的屏蔽栅沟槽功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120435038B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510920084.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种抑制晶圆翘曲的屏蔽栅沟槽功率器件及其制备方法是由麻泽众;杨乐;王钰;冯江旭设计研发完成，并于2025-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抑制晶圆翘曲的屏蔽栅沟槽功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种抑制晶圆翘曲的屏蔽栅沟槽功率器件及其制备方法，涉及半导体功率器件技术领域。包括元胞区和应力辅助区，元胞区内设有元胞沟槽和终端沟槽，应力辅助区包括第一辅助沟槽区、第二辅助沟槽区和第三辅助沟槽区；第一辅助沟槽区设置在元胞区的上下两侧，第二辅助沟槽区设置在元胞区的左右两侧，第三辅助沟槽区设置在元胞区的四个顶角的外侧；第一辅助沟槽区内设置均匀排列的第一辅助沟槽，第二辅助沟槽区内设置有均匀排列的第二辅助沟槽，第三辅助沟槽区内设置圆环形的第三辅助沟槽，第一辅助沟槽和第二辅助沟槽的排列方向均与元胞沟槽内条形沟槽的排列方向垂直。这样，提高了抑制晶圆翘曲的屏蔽栅沟槽功率器件的良率和生产效率。
本发明授权一种抑制晶圆翘曲的屏蔽栅沟槽功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抑制晶圆翘曲的屏蔽栅沟槽功率器件，其特征在于，包括：元胞区和应力辅助区，所述元胞区内设有元胞沟槽和终端沟槽，所述元胞沟槽为均匀排布的条形沟槽，所述应力辅助区包括第一辅助沟槽区、第二辅助沟槽区和第三辅助沟槽区； 所述第一辅助沟槽区设置在所述元胞区的上下两侧，所述第二辅助沟槽区设置在所述元胞区的左右两侧，所述第三辅助沟槽区设置在所述元胞区的四个顶角的外侧； 所述第一辅助沟槽区内设置有均匀排列的第一辅助沟槽，所述第二辅助沟槽区内设置有均匀排列的第二辅助沟槽，所述第一辅助沟槽的排列方向与所述第二辅助沟槽的排列方向平行，所述第三辅助沟槽区内设置有圆环形的第三辅助沟槽，所述第一辅助沟槽的排列方向、所述第二辅助沟槽的排列方向均与所述元胞沟槽内条形沟槽的排列方向垂直； 所述第一辅助沟槽的宽度、所述第二辅助沟槽的宽度和所述第三辅助沟槽的宽度，均与所述元胞沟槽的宽度相等。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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