深圳新声半导体有限公司冯端获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳新声半导体有限公司申请的专利一种集成无源器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358788B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510828470.5，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权一种集成无源器件及其制作方法是由冯端;邹洁设计研发完成，并于2025-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成无源器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种集成无源器件及其制作方法。涉及半导体技术领域。其中，集成无源器件包括衬底；以及位于衬底一侧且沿第一方向排列的第一类无源元件和第二类无源元件；其中，第一类无源元件和第二类无源元件连接，第一方向为平行于衬底表面的方向。通过将集成无源器件中在衬底上沉积的无源元件从垂直堆叠改为水平排列布局（沿平行于衬底表面的第一方向排列），至少减少一层介质层的使用，层间寄生电容和介质材料的损耗得以降低，从而提升电感Q值和自谐振频率，最终提高器件性能。进而解决了现有技术中的集成无源器件采用垂直堆叠架构布置各类无源元件，因多层介质层引入层间寄生电容与高频损耗，导致器件性能稳定性差的技术问题。
本发明授权一种集成无源器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种集成无源器件，其特征在于，包括：衬底；以及位于所述衬底一侧且沿第一方向排列的第一类无源元件和第二类无源元件；其中，所述第一类无源元件和所述第二类无源元件连接，所述第一方向为平行于所述衬底表面的方向；其中，所述第二类无源元件包括在垂直于所述衬底表面的方向上依次沉积的第一电感层、第一金属支撑结构、第二介质层和第二电感层； 所述第一电感层包括沿所述第一方向间隔分布的至少两个电感区域； 所述第一金属支撑结构包括沿所述第一方向间隔分布的两类支撑单元；其中，第一类支撑单元以非接触方式位于相邻电感区域之间并覆盖所述衬底的部分表面，第二类支撑单元分别位于各个电感区域远离所述衬底的一侧； 所述第二介质层覆盖第一类支撑单元的全部表面并裸露每个第二类支撑单元的部分表面；以及 所述第二电感层覆盖所述第二介质层以及每个第二类支撑单元的裸露表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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