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龙图腾网获悉安徽方胜电子科技有限公司申请的专利一种提高聚酰亚胺薄膜热导率和电击穿强度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120329733B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510805755.7，技术领域涉及：C08L79/08；该发明授权一种提高聚酰亚胺薄膜热导率和电击穿强度的方法是由方晓栋设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高聚酰亚胺薄膜热导率和电击穿强度的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高聚酰亚胺薄膜热导率和电击穿强度的方法，涉及先进材料领域，包括利用氨基化硅氧烷偶联剂对导热填料进行预处理，从而在表面形成胺基活性位点，进而在填料表面构筑特殊结构的聚合物纳米刷；利用该类纳米刷与聚酰亚胺基体良好的相容性、连缠结、氢键和π‑π堆积等多层次作用，从而实现纳米填料的均匀分散和强界面构筑，在低添加量下大幅度提升聚酰亚胺薄膜的热导率；同时，基于无机纳米填料的抗击穿特性，提升聚酰亚胺薄膜的电击穿强度。

本发明授权一种提高聚酰亚胺薄膜热导率和电击穿强度的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高聚酰亚胺薄膜热导率和电击穿强度的方法，其特征在于，使用氨基化硅氧烷对导热填料进行预处理，在导热填料表面形成胺基活性位点，于导热填料表面构筑聚合物纳米刷，将改性导热填料与聚酰胺酸溶液共混并流延成膜，在热环化反应后得到聚酰亚胺薄膜，其中，氨基化硅氧烷为氨基乙基氨基丙基三甲氧基硅烷、氨乙基氨丙基聚二甲基硅氧烷或3-氨基丙基三乙氧基硅烷中的一种，含聚合物纳米刷的导热填料添加量为2wt％-10wt％，合成聚合物纳米刷的原料为偏苯三酸酐酰氯，二胺单体和二酐单体； 其中，二胺单体为2-4-氨基苯基-5-氨基苯并咪唑或4,4'-二氨基苯酰替苯胺中的一种，二酐单体为均苯四甲酸酐、联苯四酸二酐、二苯甲酮四酸二酐或二苯醚四酸二酐中的一种； 所述聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括如下步骤： 1将导热填料、氨基化硅氧烷和无水乙醇放入球磨罐中，导热填料与无水乙醇质量比为1：1-2，在200-1000rpm转速下球磨处理2-10h，球磨后利用去离子水洗涤样品去除未反应物，并抽滤真空干燥； 2将球磨处理的导热填料超声分散在N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺或N-甲基-吡咯烷酮溶剂中，向溶剂中添加偏苯三酸酐酰氯，改性导热填料与偏苯三酸酐酰氯的质量比为3-5：1，在室温下搅拌反应3-5h； 3向步骤2反应液中添加二胺单体和二酐单体，二胺单体和二酐单体的摩尔比为1:0.95，总反应物质量分数为2wt％-5wt％，室温下搅拌10-12h，在导热填料表面构筑聚酰胺酸纳米刷，反应结束后通过真空抽滤以及洗涤、干燥制备含聚合物纳米刷结构的导热填料； 4将步骤3合成的改性导热填料与聚酰胺酸溶液共混，在室温下搅拌10-12h，通过真空脱泡和流延成膜，并将其放置在真空烘箱中经过100℃和300℃各热处理1h完成热环化反应制备导热聚酰亚胺膜。

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