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龙图腾网获悉山东工业陶瓷研究设计院有限公司申请的专利一种氮化硼增韧的高导热氮化硅陶瓷的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120329052B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510782688.1，技术领域涉及：C04B35/584；该发明授权一种氮化硼增韧的高导热氮化硅陶瓷的制备方法是由张萍萍;戴一鸣;王同同;栾强;韦其红;刘瑞祥;王洪升设计研发完成，并于2025-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化硼增韧的高导热氮化硅陶瓷的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化硼增韧的高导热氮化硅陶瓷的制备方法，属于氮化硅陶瓷的技术领域，制备方法，包括以下步骤：氮化硼纤维预处理，气相沉积，原料混合，压制成型，气压烧结；所述气相沉积的方法为，采用非平衡磁控溅射方法，以碳化硼靶和氧化镁靶为靶材在活化后的氮化硼纤维表面进行气相沉积；本发明制备的高导热氮化硅陶瓷在保持氮化硅陶瓷高导热性能的同时，还能提高其韧性，制备的氮化硅陶瓷的氮化硅陶瓷的热导率为79.2~81.0Wm•K，抗弯强度为738~745MPa，断裂韧性为11.3~11.6MPa•m12，弹性模量为263~270GPa，密度为3.09~3.15gcm3。

本发明授权一种氮化硼增韧的高导热氮化硅陶瓷的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化硼增韧的高导热氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述制备方法，包括以下步骤：氮化硼纤维预处理，气相沉积，原料混合，压制成型，气压烧结； 所述气相沉积的方法为，采用非平衡磁控溅射方法，以碳化硼靶和氧化镁靶为靶材，将活化后的氮化硼纤维放入磁控溅射设备的样品架上，抽真空至5.0×10-3Pa以下，通入氩气16~18sccm，在底基上加-300~-400V的偏压，电离氩离子溅射清洗样品表面15~20min，然后将底基偏压调整为-70~-100V，设置氩气流量为25~28sccm，控制碳化硼靶材电流1.5~2.0A，沉积3.5~4h，再调整底基偏压为-180~-200V，控制氧化镁靶材电流1.5~2.0A，氩气流量不变，沉积氧化镁表层15~20min，沉积结束取出纤维后再进行短切处理，得到复合涂层氮化硼纤维； 所述原料混合的方法为，将α-氮化硅粉末、复合涂层氮化硼纤维、烧结助剂、β-氮化硅晶种和乙醇加入球磨设备中，球磨4-6h后得到氮化硅悬浮液，将悬浮液过滤、干燥得到混合原料。

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