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龙图腾网获悉新恒汇电子股份有限公司申请的专利一种引线框架同步蚀刻多种深度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120261301B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510740136.4，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种引线框架同步蚀刻多种深度的方法是由马伟凯;朱军;任志军;黄伟;吴忠堂;李昌文;方凯设计研发完成，并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种引线框架同步蚀刻多种深度的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及引线框架制备技术领域，具体涉及一种引线框架同步蚀刻多种深度的方法，基材上设置抗蚀干膜，所述抗蚀干膜上设置有抗蚀图案，所述抗蚀图案在设计时，在同一抗蚀干膜上，不同的蚀刻区域对应的蚀刻间隙数量及蚀刻间隙长度不同，使得抗蚀干膜在一次曝光‑显影‑蚀刻后，蚀刻出不同深度的蚀刻区域。本申请基于一次蚀刻操作，即可精准且高效地制造出具有两种不同半蚀深度的引线框架产品，解决传统工艺成本高、精度低、效率低的问题。

本发明授权一种引线框架同步蚀刻多种深度的方法在权利要求书中公布了：1.一种引线框架同步蚀刻多种深度的方法，基材（1）上设置抗蚀干膜（2），所述抗蚀干膜（2）上设置有抗蚀图案，其特征在于，所述抗蚀图案在设计时，在同一抗蚀干膜（2）上，不同的蚀刻区域对应的蚀刻间隙（3）数量及蚀刻间隙（3）长度不同，使得抗蚀干膜（2）在一次曝光-显影-蚀刻后，蚀刻出不同深度的蚀刻区域； 所述抗蚀图案设计时包括如下步骤： S1：确定各蚀刻区域及其对应的蚀刻要求；所述蚀刻要求包括蚀刻区域对应的蚀刻深度及蚀刻长度的要求； S2：确定基准蚀刻区域；所述S2中将各蚀刻区域对应的蚀刻深度要求进行排序，确定蚀刻深度的最大值，蚀刻深度的最大值对应的蚀刻区域为基准蚀刻区域； S3：确定基准蚀刻区域所对应的侧蚀长度； S4：以侧蚀长度为参考，设计剩余蚀刻区域对应的蚀刻间隙（3）数量及蚀刻间隙（3）长度，进行测试调整，完成最终的抗蚀图案设计； 所述S4中包括如下子步骤： S4-1：基于抗蚀干膜的解析能力确定剩余蚀刻区域中，对应的蚀刻间隙（3）长度； S4-2：剩余蚀刻区域中，单个蚀刻区域中侧蚀长度、相邻蚀刻间隙（3）的距离设定为S3确定的侧蚀长度； S4-3：计算单个蚀刻区域应设定的间隙数量；所述S4-3中，间隙数量的计算公式为： ； 式中，N为单个蚀刻区域内蚀刻间隙（3）数量，W为蚀刻区域的长度，I为同一蚀刻区域，相邻蚀刻间隙（3）之间的距离，H为单个蚀刻间隙（3）的长度，H满足干膜解析的最小尺寸； S4-4：基于S4-1至S4-3设定的数值，进行测试，判断实际的蚀刻深度及蚀刻长度是否符合蚀刻要求，若符合，则完成最终的抗蚀图案设计；否则进行适应性调整，直至实际的蚀刻深度及蚀刻长度符合蚀刻要求； 所述S4-4中剩余蚀刻区域，同一蚀刻区域的适应性调整包括： 若单个蚀刻间隙的中心线所对应的蚀刻深度大于该蚀刻区域对应的蚀刻深度的蚀刻要求，则缩小蚀刻间隙长度，使得蚀刻深度变浅；若单个蚀刻间隙的中心线所对应的蚀刻深度小于该蚀刻区域对应的蚀刻深度的蚀刻要求，则扩大蚀刻间隙长度，使得蚀刻深度变深； 若单个相邻蚀刻间隙之间的间距小于该蚀刻区域对应的蚀刻深度的蚀刻要求，则缩减相邻蚀刻间隙之间的间距。

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