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龙图腾网获悉广东风华芯电科技股份有限公司申请的专利一种高功率半导体封装及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120149292B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510623720.1，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权一种高功率半导体封装及其制备方法是由李子莹;唐庆圆;丁露璐;郭豪杰设计研发完成，并于2025-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高功率半导体封装及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高功率半导体封装及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，高功率半导体封装包括：设置有第一布线层的封装基板、设置有第二布线层的陶瓷基座以及电性连接在第二布线层上的若干个芯片；陶瓷基座嵌合在封装基板内，且陶瓷基座基于第三布线层与封装基板电性连接；封装基板设置有槽口结构，且槽口结构的边框位置设置有第一电性通道，槽口结构的内部区域设置有第二电性通道。封装基板设置有第一高度的第一电性通道以及第二高度的第二电性通道。放置在陶瓷基座上的至少一个芯片顶部通过金属连接部件与第一电性通道进行连接。通过镶嵌有布线陶瓷基座层的封装基板，提升封装体内部载流能力，降低器件的工作温度，延长器件的工作寿命。

本发明授权一种高功率半导体封装及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高功率半导体封装，其特征在于，所述高功率半导体封装包括：设置有第一布线层的封装基板、设置有第二布线层的陶瓷基座以及电性连接在所述第二布线层上的若干个芯片； 所述陶瓷基座嵌合在所述封装基板内，且所述陶瓷基座基于第三布线层与所述封装基板电性连接； 所述第一布线层设置有第一高度的第一电性通道和第二高度的第二电性通道，所述封装基板设置有槽口结构，且所述槽口结构的边框位置设置有所述第一电性通道，所述槽口结构的内部区域设置有所述第二电性通道； 所述芯片顶部电极通过电性连接部件与所述第一电性通道连接到半导体封装底部形成第一电性引脚；所述芯片的至少一个底部电极基于所述陶瓷基座的第二布线层与所述第二电性通道连接到半导体封装底部形成第二电性引脚； 位于陶瓷基座上的第二布线层设置有若干个焊盘结构，若干个芯片对应贴合在若干个焊盘上； 若干个所述芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片的顶部设置有第一电性电极，所述第一芯片的底部设置有第二电性电极和第三电性电极； 所述第二芯片的底部设置有第四电性电极、第五电性电极和第六电性电极； 所述第一芯片和所述第二芯片的底部电极基于导电介质固定在所述陶瓷基座上； 若干个所述焊盘结构包括用于连接第一芯片底部第二电性电极的第一焊盘以及连接第二芯片底部电极的第二焊盘； 所述第一焊盘和所述第二焊盘基于所述第三布线层与所述封装基板的第二电性通道电性连接； 所述第一焊盘和所述第二焊盘基于所述第三布线层形成互联焊盘，所述第一芯片的第二电性电极和所述第二芯片的第四电性电极基于所述互联焊盘电性连接； 所述槽口结构内设置有配合通槽，所述陶瓷基座嵌合在所述配合通槽内； 所述第三布线层位于所述槽口结构的内部区域，并与第二电性通道相连接。

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