北京怀柔实验室李哲洋获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利半导体异质结复合衬底及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119956491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510416715.3，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权半导体异质结复合衬底及其制备方法是由李哲洋;李勇;于乐;金锐设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体异质结复合衬底及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体异质结复合衬底及其制备方法，该复合衬底包括：外延层；第一缓冲层，位于外延层的一侧，第一缓冲层的材料包括二维范德瓦尔材料；第一衬底，位于第一缓冲层背离外延层的一侧，其中，第一衬底与外延层具有不同的晶型，以解决相关技术中异质结外延因晶体缺陷而降低功率器件性能的问题。
本发明授权半导体异质结复合衬底及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体异质结复合衬底，其特征在于，包括： 外延层； 第一缓冲层，位于所述外延层的一侧，所述第一缓冲层的材料包括二维范德瓦尔材料； 第一衬底，位于第一缓冲层背离所述外延层的一侧，其中，所述第一衬底与所述外延层具有不同的晶型， 所述外延层和所述第一衬底的材料包括碳化硅，所述外延层的晶型包括4H晶型，所述第一衬底的晶型为3C晶型，所述3C晶型的晶向为111，所述4H晶型的晶向为0001，所述外延层通过所述第一缓冲层与所述第一衬底键合连接， 所述第一缓冲层与所述第一衬底构成复合层，所述半导体异质结复合衬底包括多层所述复合层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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