武汉理工大学章嵩获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种在碳基基底原位生长抗热震碳化钽涂层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119956319B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510382709.0，技术领域涉及：C23C16/32；该发明授权一种在碳基基底原位生长抗热震碳化钽涂层的方法是由章嵩;王崇杰;涂溶;张联盟设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在碳基基底原位生长抗热震碳化钽涂层的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在碳基基底原位生长抗热震碳化钽涂层的方法，具体步骤如下：1将基板放入激光化学气相沉积设备的沉积腔体中；2将沉积腔体真空抽至真空阈值以下，通入H2、碳源和含有钽源的载气Ar，调节沉积压强并稳定1～5分钟；3开启激光照射基板，升温至沉积温度进行沉积，沉积结束后依次关闭载气Ar和激光，当基板温度显示150℃时关闭H2和碳源，然后抽真空，等待基板冷却至室温，在基板表面得到碳化钽涂层材料。本发明提供的碳化钽多孔涂层材料与基板接触的底部为多孔结构，能够缓冲热震应力，表面由致密的碳化钽组成，能够对基板形成良好保护，可显著缓解涂层与基底的热膨胀系数不匹配的问题，提高了涂层抗热震性能。
本发明授权一种在碳基基底原位生长抗热震碳化钽涂层的方法在权利要求书中公布了：1.一种在碳基基底原位生长抗热震碳化钽涂层的方法，其特征在于，具体步骤如下： 1）将清洗干净的碳基基板放入激光化学气相沉积设备的沉积腔体中，调整碳基基板位置使其位于激光覆盖范围内； 2）将沉积腔体真空抽至真空阈值以下，通入H2、碳源和含有钽源的载气Ar，调节沉积压强并稳定1~5分钟； 3）开启激光照射碳基基板，使碳基基板表面升温至沉积温度进行沉积，沉积工艺条件为：先在1000~1200℃沉积5~10min，然后升温至1300~1400℃沉积10~15min，沉积结束后依次关闭载气Ar和激光，当碳基基板温度显示150℃时关闭H2和碳源，然后抽真空，等待碳基基板冷却至室温，在碳基基板表面得到碳化钽涂层材料。
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