深圳新声半导体有限公司王友良获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳新声半导体有限公司申请的专利一种改善键合结合力的滤波装置及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119865142B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510353439.0，技术领域涉及：H03H9/54；该发明授权一种改善键合结合力的滤波装置及其制作方法是由王友良;冯端;邹洁设计研发完成，并于2025-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善键合结合力的滤波装置及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种改善键合结合力的滤波装置及其制作方法。涉及滤波技术领域。其中，改善键合结合力的滤波装置包括作为载体的第一衬底、滤波组件以及作为盖帽的第二衬底；滤波组件形成于第一衬底的一侧，并且滤波组件具有第一凹陷结构；以及滤波组件和第二衬底之间具有键合结构，键合结构覆盖滤波组件的至少部分表面并填充第一凹陷结构。这种设计不仅增加了键合界面的表面积，还使得键合材料能够更深入地渗透到滤波组件的内部，增强了键合结构与滤波组件之间的结合力，从而降低键合结构与滤波组件分离的风险。进而解决了现有技术中存在的采用D‑BAW技术制成的滤波装置中键合结构与滤波组件之间的结合力不佳，容易引发分离的技术问题。
本发明授权一种改善键合结合力的滤波装置及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种改善键合结合力的滤波装置，其特征在于，包括：作为载体的第一衬底、滤波组件、围栏层以及作为盖帽的第二衬底；其中 所述滤波组件形成于所述第一衬底的一侧，并且所述滤波组件具有第一凹陷结构，所述第一凹陷结构仅贯穿所述滤波组件中的压电层； 所述围栏层位于所述第一衬底和所述压电层之间，具有第二凹陷结构，所述第二凹陷结构贯穿所述围栏层后与所述第一凹陷结构连通；以及 所述滤波组件和所述第二衬底之间具有键合结构，所述键合结构覆盖所述压电层的至少部分表面并填充所述第一凹陷结构和所述第二凹陷结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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