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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种集成共振隧穿二极管振荡器与反射式放大器的单片辐射源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120222978B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510345190.9，技术领域涉及：H03F1/02；该发明授权一种集成共振隧穿二极管振荡器与反射式放大器的单片辐射源是由张勇;茶兴增;杜英涛;朱华利设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成共振隧穿二极管振荡器与反射式放大器的单片辐射源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成共振隧穿二极管振荡器与反射式放大器的单片辐射源，属于无线电收发技术领域，包括衬底和位于衬底上方的RTO、RTA和片上天线；RTA包括RTD管芯对和正交混合耦合器，RTD管芯对包括第一RTD和第二RTD；RTO用于产生振荡信号，输入至RTA进行反射放大，输出后通过片上天线辐射。本发明利用RTD的共振隧穿效应所形成的负微分电导对RTO的传输线及辐射天线的损耗进行补偿，以形成振荡信号，再通过正交混合耦合器对振荡信号进行反射增强，实现电压增益输出，进而提升单个集成辐射源的输出功率；该单片辐射源还可作为阵列单元扩展为RTD辐射源阵列结构，进一步放大RTD辐射源的输出功率。

本发明授权一种集成共振隧穿二极管振荡器与反射式放大器的单片辐射源在权利要求书中公布了：1.一种集成共振隧穿二极管振荡器与反射式放大器的单片辐射源，其特征在于，包括衬底，以及位于衬底上方的RTO、RTA和片上天线； 所述RTO在第一直流偏置下产生振荡信号，输入至RTA； 所述RTA包括RTD管芯对和正交混合耦合器，RTD管芯对包括第一RTD和第二RTD，正交混合耦合器包括位于4个对应正交臂交接处的第一端口、第二端口、第三端口和第四端口；其中，第一RTD连接至第三端口，第二RTD连接至第四端口；所述RTO产生的振荡信号从第一端口输入至RTA，经反射放大后，从第二端口输出； 所述RTO包括依次连接的稳定电阻、解耦电容、谐振电感、第三RTD和隔直电容，通过对稳定电阻施加第一直流偏置，使RTO产生振荡信号，通过隔直电容输出； 所述正交混合耦合器还包括位于4个对应正交臂交接处的第一串联电容、第二串联电容、第三串联电容和第四串联电容；所述第一端口、第二端口、第三端口和第四端口均由两个子端口构成；其中，第一端口的一个子端口1_1连接至隔直电容，另一个子端口1_2连接至第一电感；第二端口的一个子端口2_1连接至片上天线，另一个子端口2_2连接至第二电感；第三端口的一个子端口3_1连接至第一RTD，另一个子端口3_2通过第三电感、第一旁路电容连接至第二直流偏置；第四端口的一个子端口4_1连接至第二RTD，另一个子端口4_2通过第四电感、第二旁路电容连接至第三直流偏置； 所述片上天线连接至RTA的第二端口，对放大后振荡信号进行辐射。

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