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龙图腾网获悉深圳新声半导体有限公司申请的专利一种谐振器的制造方法及谐振器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119834749B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510323814.7，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种谐振器的制造方法及谐振器是由胡威威;邹洁;冯端设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种谐振器的制造方法及谐振器在说明书摘要公布了：本发明公开一种谐振器的制造方法及谐振器，包括：依次层叠制作第一电极层、压电层以及第二电极层；制作贯通第二电极层的第一孔并得到多个第二电极，压电层的部分表面于第一孔露出；压电层露出的表面上制作通槽并得到多个压电体，通槽位于两个第二电极之间；制作包括多个凸起部的牺牲层，相邻两个凸起部形成凹槽，通槽于凹槽露出；制作截止边界层，以覆盖凸起部的一侧、凹槽壁面、通槽壁面、部分第二电极、部分压电体和部分第一电极层；制作贯通第一电极层的第二孔并得到多个第一电极，压电层部分表面于第二孔露出，部分截止边界层从第二孔露出；去除第二电极对应的凸起部形成空腔。上述方法能够降低截止边界层和压电层之间的应力失配。

本发明授权一种谐振器的制造方法及谐振器在权利要求书中公布了：1.一种谐振器的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 依次层叠制作第一电极层、压电层以及第二电极层； 在所述第二电极层上制作第一孔，所述第一孔贯通所述第二电极层，以使得所述压电层的部分表面于所述第一孔中露出，且所述第一孔将所述第二电极层分割为多个第二电极； 在所述压电层露出的部分表面上制作通槽，所述通槽贯通所述压电层，且将所述压电层分割为多个压电体，且，所述第一电极层的部分表面于所述通槽中露出，所述通槽位于相邻两个第二电极之间； 制作截止边界层，所述截止边界层覆盖凸起部远离所述压电层的一侧、凹槽的壁面、所述通槽的壁面，以及覆盖于所述凹槽处露出的第二电极和压电体和于所述通槽处露出的第一电极层； 在所述第一电极层上制作第二孔，所述第二孔贯通所述第一电极层，以使得所述压电层的部分表面于所述第二孔露出，且所述第二孔将所述第一电极层分割为多个第一电极； 针对每个所述第二电极去除至少一个与所述第二电极连接的所述凸起部，以使得每个所述第二电极背离所述压电层的一侧与截止边界层之间均形成至少一个空腔。

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