武汉大学张琦获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利顾及时空分布的电离层映射函数的构建及改正方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119849567B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510323412.7，技术领域涉及：G06N3/0499；该发明授权顾及时空分布的电离层映射函数的构建及改正方法和系统是由张琦;姚宜斌;孔建;张豹;张良设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本顾及时空分布的电离层映射函数的构建及改正方法和系统在说明书摘要公布了：本发明公开顾及时空分布的电离层映射函数的构建及改正方法和系统。本发明针对电离层时空变化的复杂性，导致该误差很难被完全消除的问题，通过获取观测数据、计算STEC、电离层薄层区域格网划分、获取VTEC、构建BP神经网络（BPNN）模型及选取样本训练模型的共同作用，提供了一种电离层模型以及基于该模型实现的电离层改正方法。本发明能够适应地理位置的差异、日周期变化以及季节性变化，从而为用户提供更为精确和可靠的定位服务。
本发明授权顾及时空分布的电离层映射函数的构建及改正方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种顾及时空分布的电离层映射函数的构建方法，其特征在于，结合实时或近实时电离层监测数据，动态更新映射函数以适应地理位置和时间变化，所述方法包括： 获取顾及时空分布的多因素数据，包括接收机处的观测数据、位置、钟差、电离层和差分码偏差； 根据获取的多因素数据进行非差非组合估计，计算得到电离层穿刺点的高度角、方位角、经度、纬度及电离层STEC； 对接收机处的电离层薄层区域进行格网划分，结合电离层STEC，计算每一格网的VTEC； 选择BP神经网络构建电离层模型，其输入层为高度角、方位角、经度、纬度、时间和VTEC，输出层为改正的电离层STEC，隐藏层的最佳神经元节点数为8； 选取VTEC训练样本，对构建的电离层模型进行训练，输出训练好的电离层模型用于电离层延迟改正。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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