桂林航天工业学院黄晓炜获国家专利权
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龙图腾网获悉桂林航天工业学院申请的专利一种以镍纳米线为模板的纳米管道阵列的制备方法及应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120115204B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510283091.2,技术领域涉及:B01L3/00;该发明授权一种以镍纳米线为模板的纳米管道阵列的制备方法及应用是由黄晓炜;谢东设计研发完成,并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种以镍纳米线为模板的纳米管道阵列的制备方法及应用在说明书摘要公布了:本发明涉及一种以镍纳米线为模板的纳米管道阵列的制备方法及应用,涉及微纳技术领域。本发明提供的纳米管道阵列的制备方法,借助镍纳米线的磁性使其平行排列,并以其为模板进行纳米管道的制备。本发明的制备方法采用光刻刻蚀工艺,所制得的纳米管道阵列的宽度和深度均为纳米级别,突破了光刻分辨率的限制并提高了纳米管道的制备效率。
本发明授权一种以镍纳米线为模板的纳米管道阵列的制备方法及应用在权利要求书中公布了:1.一种以镍纳米线为模板的纳米管道阵列的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤: (1)在基片上匀胶形成光刻胶层;对所述光刻胶层覆盖掩模并依次进行曝光、显影处理,在所述光刻胶层上形成一个贯通所述光刻胶层的凹槽,形成具有图案的光刻胶层; (2)将所述基片平放在磁铁上,滴加镍纳米线溶液至所述凹槽中,然后去除所述具有图案的光刻胶层,得到负载有平行排列的镍纳米线的基片; (3)在所述负载有平行排列的镍纳米线的基片上沉积金属形成刻蚀阻挡层,随后剥离所述镍纳米线得到空槽,对所述空槽进行刻蚀,最后洗去所述刻蚀阻挡层,形成纳米管道阵列。
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