湘潭大学刘卓媛获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种SiC-C基座耐腐蚀性能的检测方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119738308B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510183281.7，技术领域涉及：G01N3/56；该发明授权一种SiC-C基座耐腐蚀性能的检测方法及其应用是由刘卓媛;赵镍设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC-C基座耐腐蚀性能的检测方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种SiC‑C基座耐腐蚀性能的检测方法及其应用，属于化学检测技术领域。本发明提供的SiC‑C基座耐腐蚀性能的检测方法包括以下步骤：1在SiC‑C基座样块表面沉积点阵分布的点状过渡金属薄膜，得到预处理SiC‑C基座样块；2将步骤1得到的预处理SiC‑C基座样块在HCl和H2的混合气流中腐蚀，得到腐蚀样块；3测量所述步骤2得到的腐蚀样块的腐蚀深度。本发明提供的检测方法可有效提高检测效率。实施例结果表明，本发明提供的检测方法的腐蚀速率可达到0.146×10‑2～0.302×10‑2μmmin。
本发明授权一种SiC-C基座耐腐蚀性能的检测方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种SiC-C基座耐腐蚀性能的检测方法，包括以下步骤： 1在SiC-C基座样块表面沉积点阵分布的点状过渡金属薄膜，得到预处理SiC-C基座样块； 2将步骤1得到的预处理SiC-C基座样块在HCl和H2的混合气流中腐蚀，得到腐蚀样块； 3测量所述步骤2得到的腐蚀样块的点状过渡金属薄膜的腐蚀区域的腐蚀深度； 所述步骤1中的点状过渡金属薄膜的材质为Pt、Cr或Ni； 所述步骤2中HCl和H2的流速独立地为5~20Lmin，HCl和H2的流量比为1:0.5~1.5； 所述步骤2中腐蚀的温度为1000~1400℃，腐蚀的时间为40~80h。
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