浙江大学李寒莹获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于单晶同质结构建的光电子器件及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035234B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510183524.7，技术领域涉及：H10F30/221；该发明授权一种基于单晶同质结构建的光电子器件及其应用是由李寒莹;蔡福贵;任劼;彭博宇设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于单晶同质结构建的光电子器件及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于单晶同质结构建的光电子器件及其应用。所述光电子器件包括凝胶浓度不同的晶体材料，通过非对称嵌入的方式，在单晶中引入不同凝胶嵌入区域，构筑单晶同质结，并且该同质结器件实现了自驱动的光电响应特性；并构建了基于单晶同质结的横向、纵向光电子器件。不同于仅使用传统的溶液法制备的单晶光电导对称结构器件，本发明的光电子器件无需额外的偏置电压来确保器件正常工作，能够实现类似于传统无机半导体同质结的光电二极管结构；这种凝胶嵌入的非对称结构，使得该光电器件具备了类似于传统半导体同质结二极管的电流‑电压特性，能够有效地进行光电转换，可以广泛应用于光电探测器以及其他光电子器件中。
本发明授权一种基于单晶同质结构建的光电子器件及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于单晶同质结的光电子器件，其特征在于，所述光电子器件包括第一电极、光电晶体层和第二电极； 所述光电晶体层包括第一晶体层和第二晶体层； 所述第一晶体层与所述第二晶体层连接，连接的界面形成同质结； 所述第一电极和所述第二电极的其中一个与第一晶体层连接，另一个与第二晶体层连接；所述第一电极与第二电极不接触； 所述第一晶体层为于第一凝胶中生长的凝胶单晶复合材料； 所述第二晶体层为纯净单晶材料或于第二凝胶中生长的凝胶单晶复合材料； 其中第一凝胶和第二凝胶的凝胶种类和或凝胶浓度不同； 所述同质结为所述第一晶体层与所述第二晶体层中的单晶连接构成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学，其通讯地址为：310030 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号