珠海莫界科技有限公司刘洋获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海莫界科技有限公司申请的专利体全息光栅的制备方法、体全息光栅、光波导及显示设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119846757B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510105347.0，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权体全息光栅的制备方法、体全息光栅、光波导及显示设备是由刘洋;关健;王兆民设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本体全息光栅的制备方法、体全息光栅、光波导及显示设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种体全息光栅的制备方法、体全息光栅、光波导及显示设备，该方法包括：获取待曝光全息材料，所述待曝光全息材料包括热固性液晶材料；提供液晶盒，并将所述所述待曝光全息材料填充至所述液晶盒内；基于预设光源，对所述液晶盒内的所述待曝光全息材料进行曝光处理，得到待处理光栅；对所述待处理光栅施加预设电场及对施加所述预设电场后的待处理光栅进行加热处理，以固化所述待处理光栅中经由所述预设电场取向后的热固性液晶分子，制得体全息光栅。本申请能够提升体全息光栅的液晶分子在较高温度时的排列状态稳定性，从而保证体全息光栅的衍射效率，进而避免了高温状态下体全息光栅的光学性能衰减。
本发明授权体全息光栅的制备方法、体全息光栅、光波导及显示设备在权利要求书中公布了：1.一种体全息光栅的制备方法，其特征在于，包括： 获取待曝光全息材料，所述待曝光全息材料包括热固性液晶材料； 提供液晶盒，并将所述所述待曝光全息材料填充至所述液晶盒内； 基于预设光源，对所述液晶盒内的所述待曝光全息材料进行曝光处理，得到待处理光栅； 对所述待处理光栅施加预设电场及对施加所述预设电场后的待处理光栅进行加热处理，以固化所述待处理光栅中经由所述预设电场取向后的热固性液晶分子，制得体全息光栅； 其中，所述对施加所述预设电场后的待处理光栅进行加热处理，包括： 在预设时间内将施加所述预设电场后的待处理光栅加热至第一温度，以固化所述待处理光栅中经由所述预设电场取向后的热固性液晶分子；且所述第一温度高于第二温度，所述第二温度为在所述待曝光全息材料进行所述曝光处理时，所述待曝光全息材料的温度。
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