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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种非易失存储器阵列的快速线阻网络分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120045810B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510093515.9，技术领域涉及：G06F17/10；该发明授权一种非易失存储器阵列的快速线阻网络分析方法是由王兴晟;阳帆;娄皓哲;蔡子非;李楠设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非易失存储器阵列的快速线阻网络分析方法在说明书摘要公布了：本发明属于线阻网络分析技术领域，公开了一种非易失存储器阵列的快速线阻网络分析方法，包括：建立非易失存储器阵列线阻网络中所有行、列的电极KCL方程；将KCL方程中的电压线路和系数矩阵进行变换和分解，引入固定点迭代算法，迭代计算阵列顶部和底部节点的电压分布。将原本复杂的大规模线性方程组问题转化为两个较小规模的子问题。通过两个子问题的相互迭代进行求解，从而降低了计算复杂度与计算内存。本发明的方法能够在设计阶段预测和评估IR‑drop对神经网络计算加速的影响。优势包括：准确度高，能够以超过95％的准确度模拟IR‑drop的影响；低计算复杂度，将计算复杂度从O2mn2降低到Omn；内存负载小，在保持高准确度的同时，最小化了内存的使用。

本发明授权一种非易失存储器阵列的快速线阻网络分析方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失存储器阵列的快速线阻网络分析方法，其特征在于，包括： 建立非易失存储器阵列线阻网络中所有行、列的电极KCL方程：，；其中，、均为三对角矩阵，分别表示线阻网络中所有行、列的上电极电压的系数矩阵；、分别为所有行、列的上电极电压向量；、分别为所有行、列的下电极电压向量；为由所有行的输入电压构成的向量； 将电压向量用和标准正交变换矩阵进行变换，将电压向量用和标准正交变换矩阵进行变换，并根据三对角矩阵的性质对系数矩阵、分解；将变换之后的、以及分解后的系数矩阵、代入对应的电极KCL方程，并对方程进行移项后，得到对应的基于固定点迭代的矩阵方程； 将所有行的上电极及下电极电压的初始值代入所述基于固定点迭代的矩阵方程中进行迭代，得到所有行的上电极及下电极电压向量、；并基于电压向量、与标准正交变换矩阵之间的变换关系，得到所有列的上电极及下电极电压向量、； 所述将电压向量用和标准正交变换矩阵进行变换，将电压向量用和标准正交变换矩阵进行变换，对应的变换关系为：，； 所述将变换之后的、以及分解后的系数矩阵、代入对应的电极KCL方程后，得到的变换后的电极KCL方程为： 其中，和分别表示分解后的系数矩阵、；是由非易失存储器阵列的与存储单元电导的比值组成的对角矩阵，是列线电导与存储单元电导的比值组成的对角矩阵；和分别系数矩阵、所对应的标准三对角矩阵；为单位矩阵。

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