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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种高集成柔性超级电容器的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119889941B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510087353.8，技术领域涉及：H01G11/84；该发明授权一种高集成柔性超级电容器的封装方法是由刘辉龙;陈梓民;甘力天;肖志文;郑宇;陈云;陈新;汪正平设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高集成柔性超级电容器的封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高集成柔性超级电容器的封装方法，包括以下步骤：S1、绘制三层柔性掩膜图案，其中，第一层柔性掩膜绘制有若干个检测孔和若干个电极开口区域，所述电极开口区域比实际电极区域的长宽分别大0.15‑0.25mm；S2、图案化加工；S3、贴合与电解质涂覆；S4、待电解质凝固后，依次去除第三层柔性掩膜和第二层柔性掩膜，得到封装完成的高集成柔性超级电容器。本发明解决目前高集成柔性超级电容器封装，电解质的涂覆不便，并且无法对各个电极单体进行测量的问题。

本发明授权一种高集成柔性超级电容器的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种高集成柔性超级电容器的封装方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、绘制柔性掩膜图案：高集成柔性超级电容器的电极阵列排布，根据需要装配的高集成柔性超级电容器的设计图案，绘制三层柔性掩膜图案，由下至上分别为第一层柔性掩膜、第二层柔性掩膜和第三层柔性掩膜； 第一层柔性掩膜绘制有若干个检测孔和若干个电极开口区域，每个电极开口区域的两侧各设有一个检测孔，电极开口区域与电极对应；第二层柔性掩膜与第三层柔性掩膜分别绘制有若干个矩阵阵列，第二层柔性掩膜的矩阵阵列与第三层柔性掩膜的矩阵阵列相互垂直，所述矩阵阵列的宽度与电极区域的边长相等，第二层柔性掩膜与第三层柔性掩膜叠加之后只露出电极区域； 所述电极开口区域比所述电极区域的长宽分别大0.15-0.25mm； S2、图案化加工：将第一层柔性掩膜的检测孔和电极开口区域去除，将第二层柔性掩膜和第三层柔性掩膜相互垂直的矩形阵列去除，得到三层柔性掩膜； S3、贴合与电解质涂覆：将三层柔性掩膜由下至上依次贴合于高集成柔性超级电容器上，并在此过程中按压，然后在电极区域涂覆电解质； S4、待电解质凝固后，依次去除第三层柔性掩膜和第二层柔性掩膜，得到封装完成的高集成柔性超级电容器。

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