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厦门润积集成电路技术有限公司黄聪城获国家专利权

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龙图腾网获悉厦门润积集成电路技术有限公司申请的专利一种无基准低噪声LDO电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119937703B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510052835.X,技术领域涉及:G05F1/56;该发明授权一种无基准低噪声LDO电路是由黄聪城;张远燚设计研发完成,并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

一种无基准低噪声LDO电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种无基准低噪声LDO电路,涉及供电电路领域,其电阻R1与电阻R4的连接节点依次经电阻R2、晶体管Q5和电阻R3后接地,晶体管Q5的控制端连接于电阻R2与晶体管Q5的连接节点。误差放大器模块的电压输入端n1连接于晶体管MP6与晶体管Q3的连接节点,电压输入端n2连接于晶体管MP7与晶体管Q4的连接节点,连接端ibias同时连接于所述晶体管MN7、晶体管MN5的控制端,输出端连接于功率管MP_power的控制端。偏置电流模块的输入端连接于所述电压输出端Vout,输出端连接于误差放大器模块的连接端ibias。本发明中,基准电路包含在整个LDO环路中,无需再单独设计一个基准电路,可以避免基准受到外部电路干扰直接影响到电压输出,在中低频中有更好的噪声特性。

本发明授权一种无基准低噪声LDO电路在权利要求书中公布了:1.一种无基准低噪声LDO电路,包括电压输入端Vbat、误差放大器模块、电压输出端Vout、功率管MP_power、电阻R1和电阻R4;所述功率管MP_power的一端连接于电压输入端Vbat,控制端连接于误差放大器模块的输出端;所述功率管MP_power的另一端连接于电压输出端Vout;电压输出端Vout经电阻R1和电阻R4后接地,其特征在于:还包括电阻R2、晶体管Q5和电阻R3,电阻R1与电阻R4的连接节点依次经电阻R2、晶体管Q5和电阻R3后接地,并且晶体管Q5的控制端连接于电阻R2与晶体管Q5的连接节点; 还包括晶体管MP7、晶体管MP11、晶体管Q4,晶体管MP8、晶体管MP9、晶体管MN6、晶体管MN7、晶体管MP6、晶体管Q3、晶体管MP10、晶体管MP5和晶体管MN5; 所述电压输出端Vout依次经晶体管MP7、晶体管Q4、晶体管MP11后接地,依次经晶体管MP8、晶体管MP9后接地,依次经晶体管MN6、晶体管MN7后接地,依次经晶体管MP6、晶体管Q3、晶体管MP10后接地,依次经晶体管MP5和晶体管MN5后接地; 所述晶体管MP7、晶体管MP8、晶体管MP6和晶体管MP5的控制端均连接于晶体管MP5与晶体管MN5的连接节点;所述晶体管Q3、晶体管Q4的控制端均连接于晶体管MP8与晶体管MP9的连接节点;所述晶体管MP11的控制端连接于晶体管Q5与电阻R3的连接节点;所述晶体管MP9的控制端连接于晶体管MN6与晶体管MN7的连接节点;所述晶体管MN6的控制端连接于晶体管MP6与晶体管Q3的连接节点;所述晶体管MP10的控制端经电阻后接地; 所述误差放大器模块的电压输入端n1连接于晶体管MP6与晶体管Q3的连接节点,电压输入端n2连接于晶体管MP7与晶体管Q4的连接节点,连接端ibias同时连接于所述晶体管MN7、晶体管MN5的控制端,输出端连接于功率管MP_power的控制端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人厦门润积集成电路技术有限公司,其通讯地址为:361000 福建省厦门市软件园三期诚毅北大街56号2302单元;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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