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龙图腾网获悉广东新巨微电子有限公司申请的专利一种微型高精度陶瓷薄膜阻容双功能元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835996B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510034659.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种微型高精度陶瓷薄膜阻容双功能元件及其制作方法是由邝国威;魏永勇;赵中耀;梁传勇设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微型高精度陶瓷薄膜阻容双功能元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微型高精度陶瓷薄膜阻容双功能元件及其制作方法，涉及集成电子元件技术领域，该阻容双功能元件通过磁控真空溅射技术，在晶界层电介质陶瓷基片上依次沉积TaN薄膜、TiW薄膜和Au薄膜，并通过刻蚀保留所需的TaN薄膜作为电阻膜，结合热处理工艺对电阻膜的方阻值进行精确调整，最终形成阻容合一的精制基片；通过划切工艺得到单体阻容元件，并以控制划切刀片厚度实现静电容量的精确调节；使得单体阻容元件具有高精度的电阻值和电容量、体积小型化、低寄生参数和高可靠性的特点，可广泛应用于微波通信、射频模块和其他高性能电子电路中；解决现有电阻器和电容器以分立组合安装在电路中，导致电路体积大、寄生参数多的问题。

本发明授权一种微型高精度陶瓷薄膜阻容双功能元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种微型高精度陶瓷薄膜阻容双功能元件，其特征在于， 包括以SrTiO3为主材制成的，介电常数在15000～45000范围内，厚度在0.1～0.35mm的晶界层电介质陶瓷基片； 以及TaN薄膜，通过将所述晶界层电介质陶瓷基片放入磁控真空溅射机的载具上，并送入所述磁控真空溅射机的容纳腔，向所述容纳腔内充入混合气体，利用所述磁控真空溅射机以Ta靶溅射5-30min的时间，使所述晶界层电介质陶瓷基片表面沉积一层所述TaN薄膜； 所述TaN薄膜的厚度随溅射时间长而厚，TaN薄膜的厚度控制为0.1-0.6μm； 以及TiW薄膜，通过所述磁控真空溅射机切换至TiW靶，对所述晶界层电介质陶瓷基片的带有所述TaN薄膜的面及另一相对面，实行所述TiW靶溅射，在所述TaN薄膜及另一相对面上均沉积一层所述TiW薄膜； 以及Au薄膜，通过所述磁控真空溅射机切换至Au靶，对所述晶界层电介质陶瓷基片带有所述TiW薄膜的面，实行所述Au靶溅射，在所述晶界层电介质陶瓷基片两个相对面的所述TiW薄膜上均沉积一层所述Au薄膜，从而得到初制基片； 初制基片的整体从下至上的结构为：所述Au薄膜-所述TiW薄膜-所述晶界层电介质陶瓷基片-所述TaN薄膜-所述TiW薄膜-所述Au薄膜；其中，所述晶界层电介质陶瓷基片两侧的所述TiW薄膜-所述Au薄膜均为电极； 向所述初制基片刻蚀电路，留下作为电阻膜的所述TaN薄膜，并使所述电阻膜的初始方阻值在20～200Ω，通过溅射时控制所述TaN薄膜的厚度得到不同的初始方阻值； 再通过干法刻蚀和热处理烘烤的交替处理，精确调整所述电阻膜的方阻值，从而得到精制基片； 两侧所述电极与所述晶界层电介质陶瓷基片构成电容部分；所述电阻膜与所在侧的所述电极形成电路连接构成电阻部分； 通过划切机划切所述精制基片形成电阻与电容合为一体的单体阻容元件；通过采用30～120um尺寸的多种厚度的刀片，用于精确调整单体阻容元件的静电容量值。

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