武汉新芯集成电路股份有限公司蔡建祥获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967819B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510032017.3，技术领域涉及：H10B69/00；该发明授权半导体器件及其制作方法是由蔡建祥;李少剑设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件中，具有第一阈值电压的第一HKMG晶体管形成第一存储单元，具有第二阈值电压的第二HKMG晶体管形成第二存储单元，利用所述第一阈值电压和所述第二阈值电压的差异，所述第一存储单元和所述第二存储单元能够形成不同的导通状态，实现01态读出。第一HKMG晶体管和第二HKMG晶体管的制作与HKMG工艺兼容，可与HKMG工艺平台的其它器件一起形成，有助于提升半导体器件的集成密度和降低工艺难度，而且，所述第一HKMG晶体管和所述第二HKMG晶体管未采用浮栅型栅极结构，操作电压较低，可以与低压器件如逻辑器件工艺兼容。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括第一导电类型掺杂区； 至少一具有第一阈值电压的第一HKMG晶体管，形成于相应的所述第一导电类型掺杂区表面，所述第一HKMG晶体管的栅极和源漏区为第二导电类型；以及 至少一具有第二阈值电压的第二HKMG晶体管，形成于相应的所述第一导电类型掺杂区表面，所述第二HKMG晶体管的栅极具有第一导电类型且源漏区具有第二导电类型； 其中，所述第一HKMG晶体管形成第一存储单元，所述第二HKMG晶体管形成第二存储单元，所述第一存储单元和所述第二存储单元根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压的差异形成不同导通状态，实现01态读出。
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