昆明理工大学孟彬获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种具有高电导率的固态电解质高熵陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119797916B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510022621.8，技术领域涉及：C04B35/50；该发明授权一种具有高电导率的固态电解质高熵陶瓷及其制备方法是由孟彬;张文龙;平鑫宇;王昊;王贝儿;邵丫轩;覃梦霞;潘荣诚;陈文慧设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有高电导率的固态电解质高熵陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有高电导率的固态电解质高熵陶瓷及其制备方法，涉及陶瓷领域。本发明将Er、Dy、Gd、Zr和Y元素加入到δ‑Bi2O3基电解质晶格中，从而显著提升样品的构型熵和晶格畸变程度，增加样品萤石型晶格的稳定性，促进氧空位的形成，提高其氧离子电导率。
本发明授权一种具有高电导率的固态电解质高熵陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高电导率的固态电解质高熵陶瓷，其特征在于，所述固态电解质高熵陶瓷的结构如下: Er0.2Dy0.2Gd0.2Zr0.2Y0.2xBi1-x2O3, 其中x=0.1~0.2。
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