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龙图腾网获悉深圳飞骧科技股份有限公司申请的专利射频前端模组散热优化方法、系统及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119416737B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510006390.1，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权射频前端模组散热优化方法、系统及相关设备是由谢志远;李欢欢;郭嘉帅设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频前端模组散热优化方法、系统及相关设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种射频前端模组散热优化方法、系统及相关设备，所述方法包括：获取射频前端模组中的功率放大器的版图布局；根据所述功率放大器的热性能，将所述版图布局连续划分为多个温度区域；获取所述功率放大器中的晶体管之间的原始间距；根据所述原始间距，重新获取不同所述温度区域中的晶体管之间的晶体管优化间距；根据所述晶体管优化间距，对所述功率放大器的晶体管进行重新布局，得到优化版图布局；根据所述优化版图布局获取优化后的散热优化射频前端模组。本发明通过对功率放大器中晶体管的布局进行调整，使发热较大的晶体管之间的间距得到扩大，利于提高射频前端模组的射频性能。

本发明授权射频前端模组散热优化方法、系统及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种射频前端模组散热优化方法，其特征在于，所述射频前端模组散热优化方法包括以下步骤： S101、获取射频前端模组中的功率放大器的版图布局； S102、根据所述功率放大器的热性能，将所述版图布局连续划分为多个温度区域； S103、获取所述功率放大器中的晶体管之间的原始间距； S104、根据所述原始间距，重新获取每个不同的所述温度区域中的晶体管之间的晶体管优化间距； S105、根据所述晶体管优化间距，对所述功率放大器的晶体管进行重新布局，得到优化版图布局； S106、根据所述优化版图布局获取优化后的散热优化射频前端模组； 其中，步骤S102中，基于所述功率放大器的热性能，将所述版图布局划分为包括一个高温区域和处于所述高温区域两侧的两个低温区域；所述高温区域以所述版图布局中温度最高的晶体管为中心划分得到； 步骤S104中，定义所述原始间距为d0，对所述低温区域中的晶体管之间的第一晶体管优化间距d1进行重新获取时，使d0d1；对所述高温区域中的晶体管之间的间距进行重新获取时，使高温区域中相邻晶体管的间距均大于d0； 定义两个所述低温区域中所包含的晶体管数量为分别为m、n，所述高温区域包含的晶体管数量为w，其中，w≥3，则步骤S104中： 获取所述低温区域减小的间距总长l1=m+n-2×d0–d1，l1等于所述高温区域增大的间距总长； 获取所述高温区域中相邻晶体管之间增加的基础间距l2=4×l1w+1×w+3； 确定所述高温区域中温度最高的晶体管，从该晶体管至所述高温区域最外侧的晶体管，相邻的晶体管的间距依次为：d0+w+12-1+1×l2、d0+w+12-2+1×l2、…、d0+w+12-w+12+1×l2； 步骤S102中，根据所述功率放大器的热性能，将所述版图布局根据所述功率放大器的差分结构划分为多个工作区，对每一所述工作区进行所述温度区域的划分； 步骤S105后，所述射频前端模组散热优化方法还包括： 根据所述优化版图布局，对不同的所述功率放大器的晶体管的基板金属进行修改，使不同的晶体管的基板金属相互贴合，并统一接地。

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