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龙图腾网获悉芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利半导体器件的制备方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119743970B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411967403.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制备方法和半导体器件是由李翔设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制备方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种半导体器件的制备方法和半导体器件。包括：在半导体材料层上形成栅极材料层和牺牲材料层；牺牲材料层内形成通槽，内壁包括第一延伸部、第二延伸部和折弯部；形成掩膜材料层；刻蚀掩膜材料层覆盖通槽的内壁的部分被保留形成侧墙掩膜，包括第一侧墙部分、第二侧墙部分和侧墙折弯部分，侧墙折弯部分线宽大于第一侧墙部分和第二侧墙部分线宽；去除牺牲材料层；以侧墙掩膜为掩膜刻蚀栅极材料层，形成栅极层，包括位于第一侧墙部分、第二侧墙部分和侧墙折弯部分下方的第一栅极部、第二栅极部和栅极弯折部；去除侧墙掩膜；形成介质层；在介质层内形成暴露栅极弯折部的栅极开口；在栅极开口内形成栅极导电连接结构。

本发明授权半导体器件的制备方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在半导体材料层上形成栅极材料层； 在所述栅极材料层上形成牺牲材料层； 在所述牺牲材料层内形成暴露所述栅极材料层的通槽，所述通槽的内壁包括沿平行于所述半导体材料层所在平面的方向上延伸的第一延伸部、第二延伸部以及连接所述第一延伸部和所述第二延伸部的折弯部； 在所述牺牲材料层和被暴露的所述栅极材料层上形成掩膜材料层； 刻蚀所述掩膜材料层，所述掩膜材料层覆盖所述通槽的内壁的部分被保留而形成侧墙掩膜，所述侧墙掩膜包括覆盖所述第一延伸部的第一侧墙部分、覆盖所述第二延伸部的第二侧墙部分以及覆盖所述折弯部的侧墙折弯部分，所述侧墙折弯部分的线宽大于所述第一侧墙部分的线宽和所述第二侧墙部分的线宽； 去除所述牺牲材料层； 以所述侧墙掩膜为掩膜刻蚀所述栅极材料层，形成栅极层，所述栅极层包括分别位于所述第一侧墙部分、所述第二侧墙部分以及所述侧墙折弯部分正下方的第一栅极部、第二栅极部以及栅极弯折部，所述第一栅极部的线宽和所述第二栅极部的线宽均小于100nm，所述栅极弯折部的线宽大于100nm； 去除所述侧墙掩膜； 形成覆盖所述半导体材料层和所述栅极层的介质层； 在所述介质层内形成暴露所述栅极弯折部的栅极开口，所述栅极开口的宽度大于100nm且小于等于所述栅极折弯部的线宽； 在所述栅极开口内形成栅极导电连接结构，所述栅极导电连接结构与所述栅极弯折部直接接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路508号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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