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龙图腾网获悉北京伽略电子股份有限公司申请的专利一种宽电压范围的偏置电流源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119759167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411924715.6，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种宽电压范围的偏置电流源是由赵以诚;毛洪卫;贺红亮设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽电压范围的偏置电流源在说明书摘要公布了：本发明提供一种宽电压范围的偏置电流源，包括偏置电流产生模块、偏置电流输出模块。本发明中偏置电流产生模块产生偏置电流，该偏置电流在5.5V～52V的电源电压范围内变化很小，还具有自启动功能，防止偏置电流产生模块处于零状态，M1～M4管构成共源共栅结构可以减小VDD的变化对输出偏置电流的影响，电容C1、C2可以减小电压VDD抖动对偏置电流的影响，抗干扰性强；本发明偏置电流输出模块，根据需要可以提供拉偏置电流和灌偏置电流，并且偏置电流产生模块和偏置电流输出模块相互配合可以使得偏置电流随温度变化小，精度高。

本发明授权一种宽电压范围的偏置电流源在权利要求书中公布了：1.一种宽电压范围的偏置电流源，其特征在于：包括连接的偏置电流产生模块和偏置电流输出模块； 所述偏置电流产生模块向所述偏置电流输出模块输出正温度系数偏置电流，所述偏置电流输出模块通过与所述偏置电流产生模块配合输出拉电流P27_G和灌电流C13_PLUS并降低温度对输出电流的影响； 所述偏置电流产生模块包括源极分别与电源电压VDD连接的管M1、M2，源极与管M1漏极相连的管M3，源极与管M2漏极相连的管M4，漏极与管M3漏极相连的管M10，与管M10源极并联的电阻R1、电阻R2，集电极与电阻R1另一端相连、基极与电阻R2另一端相连的管Q1，与管Q1发射集相连的电阻R4，一端与管M4漏极相连的电阻R3，集电极与电阻R3另一端相连、发射集与电阻R4接地端相连的管Q2，负极与管M10栅极相连的齐纳二极管Q3，一端与电源电压VDD连接的电阻R6，漏极与电阻R6另一端相连、栅极与齐纳二极管Q3负极相连的管M11，源极分别与管M11源极相连的管M5、管M6，与管M6并联的电容C2，一端与管M5漏极相连的电阻R8，集电极与电阻R8另一端相连的管Q4，一端与管M6漏极相连的电阻R9和栅极、漏极均与电阻R9另一端相连的管M7； 管M1栅极、漏极相连后与管M2栅极相连，管M3栅极、漏极相连后与管M4栅极相连，管M10栅极为偏置电流源信号输入端，管Q1基极与管Q2基极、集电极均相连，电阻R4、管Q2发射极、管Q4发射极和管M7源极相连后接地，管Q4基极连接在电阻R3、管Q2集电极之间，齐纳二极管Q3正极接地，管M5栅极、漏极相连后与管M6栅极相连，管M6栅极与电容C2另一端相连并输出拉电流P27_G，管M7栅极与漏极相连并输出灌电流C13_PLUS； 管M1～M6均为PMOS管，管M7、M10、M11均为NMOS管，管Q1、Q2、Q4均为三级管。

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