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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种利用光致反常能斯特效应的磁畴探测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119716684B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411910832.7，技术领域涉及：G01R33/12；该发明授权一种利用光致反常能斯特效应的磁畴探测方法是由孙栋;范子璞;陈煜淳设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用光致反常能斯特效应的磁畴探测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用光致反常能斯特效应的磁畴探测方法。本发明采用可见光作为探测光，聚焦后垂直照射在被测材料纳米片形成光斑，产生温度梯度，引起光斑周围的载流子沿温度梯度方向扩散，在局部产生净电流；基于光致反常能斯特效应，当光斑照射在磁畴边界时产生光电流信号；通过源漏电极采集光电流信号至外部的信号处理电路，进行放大，提取出光电流对应的净电流，得到光电流，并根据光电流的空间分布得到磁畴的分布；本发明无特殊光路结构与器件结构，实验设置简单；本发明的方法可用于材料表征、显微探测和磁性研究等领域，在显微探测方面有着广阔的应用前景。

本发明授权一种利用光致反常能斯特效应的磁畴探测方法在权利要求书中公布了：1.一种利用光致反常能斯特效应的磁畴探测方法，其特征在于，所述磁畴探测方法包括以下步骤： 1探测准备： 被测材料纳米片为片状，厚度为纳米级；基底的上表面不导电，在基底的上表面设置被测材料纳米片；在基底上且位于被测材料纳米片的两端分别设置源电极和漏电极，被测材料纳米片的两端分别与源电极和漏电极电学连接，源电极和漏电极连接至外部的信号处理电路； 2探测光聚焦至被测材料纳米片上，在被测材料纳米片上形成光斑； 3聚焦后的光束垂直照射至被测材料纳米片上，照射区域被加热，在光斑周围产生温度梯度；根据塞贝克效应，温度梯度引起光斑周围的载流子沿温度梯度方向扩散，从而在被测材料纳米片局部产生净电流；根据光致反常能斯特效应，受到材料内磁畴磁化影响的载流子，在设定磁化下沿垂直温度梯度方向即横向扩散；当光斑照射在磁畴内部，产生光电流以光斑为中心对称，相互抵消，当光斑照射在磁畴边界，磁化反转，局域产生同方向电流，从而当光斑照射到在磁畴内部的光电流是相互抵消的，当光斑照射在磁畴边界的光电流是相互叠加的，从而当光斑照射在磁畴边界产生光电流信号； 4源电极和漏电极收集磁畴边界产生的光电流信号，并将光电流信号转变成电信号传输至外部的信号处理电路；外部的信号处理电路将电信号进行放大，并提取出光电流对应的净电流，得到光电流； 5改变光斑照射到被测材料的位置，由外部的信号处理电路采集产生的光电流信号，直至二维扫描被测材料纳米片的所有位置，得到光电流的空间分布，并根据光电流的空间分布得到磁畴的分布。

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