哈尔滨工业大学贾玥迎获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种基于电控液晶立方相位板的太赫兹艾里光束产生方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119575728B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411893408.6，技术领域涉及：G02F1/29；该发明授权一种基于电控液晶立方相位板的太赫兹艾里光束产生方法是由贾玥迎;王宇;谭鹏;孟祥达;田浩设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于电控液晶立方相位板的太赫兹艾里光束产生方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于电控液晶立方相位板的太赫兹艾里光束产生方法，属于太赫兹信号调制技术领域，包括以下步骤：S1、计算制作立方相位板所需的结构电极图案；S2、使用剥离工艺对DMSO掺杂型PEDOT:PSS有机薄膜进行光刻蚀，制作带有立方相位图案的结构电极；S3、利用结构电极加载垂直电场驱动液晶的方法制作产生艾里光束需要的液晶立方相位板；S4、利用太赫兹液晶立方相位板实现艾里波束的产生。本发明采用上述的一种基于电控液晶立方相位板的太赫兹艾里光束产生方法，制作的太赫兹艾里波束产生器件成品周期短、成本低，且具有良好的宽带光学各向异性和电光、磁光调制特性，可以实现大工作带宽、可调谐性能要求，有助于加快太赫兹成像技术的实际应用进程。
本发明授权一种基于电控液晶立方相位板的太赫兹艾里光束产生方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电控液晶立方相位板的太赫兹艾里光束产生方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、计算制作立方相位板所需的结构电极图案； S2、使用剥离工艺对DMSO掺杂型PEDOT:PSS有机薄膜进行光刻蚀，制作带有立方相位图案的结构电极； S3、利用结构电极加载垂直电场驱动液晶的方法制作产生艾里光束需要的液晶立方相位板； S4、利用太赫兹液晶立方相位板实现艾里波束的产生。
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