广东省大湾区集成电路与系统应用研究院苗渊浩获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利一种基于半绝缘砷化镓衬底的图像传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562656B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411868845.2，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种基于半绝缘砷化镓衬底的图像传感器及其制造方法是由苗渊浩;亨利·H·阿达姆松;赵雪薇设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于半绝缘砷化镓衬底的图像传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体制造工艺技术领域，公开了一种基于半绝缘砷化镓衬底的图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括依次叠加的半绝缘砷化镓衬底、锗电极层、锗吸收层、P型电荷层、砷化镓雪崩层、砷化镓电极层和钝化层；砷化镓雪崩层采用超晶格结构或量子阱结构；多个形状相同并以预设间隔分布的矩形凹槽依次贯穿砷化镓电极层、砷化镓雪崩层和锗吸收层；P型电荷层位于相邻两个矩形凹槽之间，嵌入锗吸收层且长度小于预设间隔；钝化层均匀覆盖在砷化镓电极层和各个矩形凹槽的内壁上。本申请能够降低暗电流和过剩噪声，提升了传感器的信噪比、灵敏度和光子探测效率。
本发明授权一种基于半绝缘砷化镓衬底的图像传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于半绝缘砷化镓衬底的图像传感器，其特征在于，包括： N型电极、P型电极和读出电路，以及依次叠加的半绝缘砷化镓衬底、锗电极层、锗吸收层、P型电荷层、砷化镓雪崩层、砷化镓电极层和钝化层； 所述砷化镓雪崩层采用超晶格结构或量子阱结构； 多个形状相同并以预设间隔分布的矩形凹槽依次贯穿所述砷化镓电极层、所述砷化镓雪崩层和所述锗吸收层；所述P型电荷层位于相邻两个矩形凹槽之间，嵌入所述锗吸收层且长度小于所述预设间隔；所述钝化层均匀覆盖在所述砷化镓电极层和各个矩形凹槽的内壁上； 所述P型电极设于矩形凹槽内，穿过所述钝化层连接所述锗电极层；所述N型电极穿过所述钝化层连接所述砷化镓电极层；所述读出电路分别连接所述N型电极和所述P型电极。
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