北京大学蔡一茂获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767682B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411865490.1，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由蔡一茂;谢瑞清;王宗巍;杨高琦;黄如设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制作方法，通过存储单元围合成背离衬底设置的第二孔，增大了第二导电结构与第二电极层的接触面积，可以增大第二导电结构驱动存储单元的驱动电流；如此，第一功能层为选通层，第二功能层为阻变层时，增大第二导电结构与第二电极层的接触面积有利于提高存储单元的读写能力、提高读写速率；第一功能层为阻变层，第二功能层为选通层时，增大第二导电结构与第二电极层的接触面积有利于提高存储单元的选通能力，提高选通速率。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 第一导电结构，设于所述衬底上； 存储单元，设于所述第一导电结构远离所述衬底的一侧，所述存储单元包括沿远离所述衬底的方向依次层叠的第一电极层、第一功能层、第二功能层以及第二电极层，所述存储单元在所述第一导电结构的上方围成第二孔，所述第二孔的开口方向背离所述衬底；所述第一功能层与所述第二功能层两者之一为选通层，两者另一为阻变层； 第二导电结构，设置在所述存储单元远离所述衬底的一侧，所述第二导电结构与所述第二孔的侧壁、底壁的所述第二电极层接触； 所述存储单元还包括势垒层，所述势垒层设置在所述选通层与所述第一电极层之间，或者，所述势垒层设置在所述选通层与所述第二电极层之间；所述势垒层的电子亲和势小于所述选通层的电子亲和势。
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