买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利集成肖特基二极管的碳化硅场效应功率晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653848B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411845805.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权集成肖特基二极管的碳化硅场效应功率晶体管的制备方法是由孔谋夫;李舒瑞;冯琪智;唐东升设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成肖特基二极管的碳化硅场效应功率晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及一种新型碳化硅功率器件金属接触的制备方法，具体提供一种集成肖特基二极管的碳化硅场效应功率晶体管的制备方法，用以简化制备工艺、降低制备成本、缩短制造周期，尤其适用于大规模工业化生产。本发明在器件电极制备过程中将肖特基接触孔和栅极接触孔利用一张掩膜版经过一次刻蚀工艺制作完成，在源极上方通过一道光刻板使用镍金属实现欧姆接触，在肖特基区和栅极上方通过一道光刻板使用钛金属形成肖特基接触，能够保证欧姆接触和肖特基接触都达到良好的性能，且在大规模生产当中不仅节约了制造的成本，同时也降低了器件的制造周期。

本发明授权集成肖特基二极管的碳化硅场效应功率晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成肖特基二极管的碳化硅场效应功率晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1.采用氧化层作为图形化屏蔽层，在碳化硅衬底上进行第一导电类型轻掺杂离子注入，于碳化硅衬底上两侧区域形成第一导电类型轻掺杂区， 步骤2.再次采用氧化层屏蔽第一导电类型轻掺杂区，在碳化硅衬底上进行第二导电类型轻掺杂离子注入，于两侧区域的第一导电类型轻掺杂区中间形成第二导电类型阱区； 步骤3.采用自对准工艺进行离子注入掩膜生长，在步骤2中氧化层以及第二导电类型阱区上两侧区域形成掩膜，在第二导电类型阱区上进行第一导电类型重掺杂离子注入，于第二导电类型阱区上中间区域形成第一导电类型有源区； 步骤4.再次采用氧化层作为图形化屏蔽层，在第二导电类型阱区上进行第二导电类型重掺杂离子注入，形成邻接设置于第一导电类型有源区左侧的第二导电类型有源区，且第二导电类型有源区左侧邻接第一导电类型轻掺杂区； 步骤5.在预设温度条件下对步骤4中器件进行退火； 步骤6.在器件表面淀积形成氧化层，氧化层覆盖第二导电类型有源区上右侧部分区域、第二导电类型有源区右侧的第一导电类型阱区以及右侧的第一导电类型轻掺杂区，再于氧化层上淀积形成多晶硅栅； 步骤7.在器件表面再次淀积形成氧化层，覆盖整个器件； 步骤8.采用第一掩模版，通过光刻工序刻蚀氧化层，于第一导电类型有源区与第二导电类型有源区上方形成欧姆接触窗口； 步骤9.采用电子束蒸镀工艺在欧姆接触窗口淀积金属镍，形成金属镍层，金属镍层与第一导电类型有源区、第二导电类型有源区形成欧姆接触； 步骤10.在预设温度条件下对步骤9中器件进行退火； 步骤11.采用第二掩模版，通过光刻工序刻蚀氧化层，于左侧的第一导电类型轻掺杂区4上方形成肖特基接触窗口，于多晶硅栅上方形成栅极接触窗口； 步骤12.再次采用第一掩模版，在金属镍层上淀积金属钛，形成金属钛层，金属钛层与金属镍层形成欧姆接触；再次采用第二掩模版，在肖特基接触窗口与栅极接触窗口淀积金属钛，形成金属钛层，金属钛层与第一导电类型轻掺杂区形成肖特基接触，金属钛层与多晶硅栅形成欧姆接触； 步骤13.在预设温度条件下对步骤12中器件进行退火，得到集成肖特基二极管的碳化硅场效应功率晶体管。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。