武汉华星光电技术有限公司陆炜获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利显示面板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411827889.0，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示面板及其制备方法是由陆炜设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种显示面板及其制备方法，显示面板包括基底；缓冲层，位于所述基底的一侧；多个鳍片，阵列设置在所述缓冲层远离所述基底的一侧；半导体层，位于所述缓冲层远离所述基底的一侧并覆盖所述鳍片；第一绝缘层，位于所述半导体层远离所述基底的一侧；栅极电极，位于所述第一绝缘层远离所述基底的一侧；第二绝缘层，位于所述栅极远离所述基底的一侧；源极电极和漏极电极，均位于所述第二绝缘层远离所述基底的一侧并与所述半导体层连接。本申请在不改变现有面板工艺设备和制程的基础上，只增加一道光罩制程的情况下，形成鳍形薄膜晶体管，有效缩小晶体管尺寸，提升面板工艺能力。
本发明授权显示面板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括： 基底； 缓冲层，位于所述基底的一侧； 多个鳍片，阵列设置在所述缓冲层远离所述基底的一侧； 半导体层，位于所述缓冲层远离所述基底的一侧并覆盖所述鳍片； 第一绝缘层，位于所述半导体层远离所述基底的一侧； 栅极电极，位于所述第一绝缘层远离所述基底的一侧； 第二绝缘层，位于所述栅极远离所述基底的一侧；以及 源极电极和漏极电极，均位于所述第二绝缘层远离所述基底的一侧并与所述半导体层连接； 其中，所述鳍片的宽度小于或者等于1μm，相邻的所述鳍片之间的距离小于或者等于8μm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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