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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种毫米波宽带高功率二倍频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119727615B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411804043.5，技术领域涉及：H03B19/14；该发明授权一种毫米波宽带高功率二倍频器是由胡三明;王一璠;沈一竹;林震;丁一凡设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种毫米波宽带高功率二倍频器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种毫米波宽带高功率二倍频器，包括输入匹配网络、基于电感电容共模谐振结构的二倍频单元以及输出匹配网络。其中输入匹配网络将输入的基频信号由单端转差分变压器巴伦变换为差分信号分别输入至二倍频单元晶体管的栅极，二倍频单元采用基于电感电容的共模谐振结构，通过谐振抵消了传统二倍频结构中存在的由于晶体管寄生效应带来的共模谐波损耗，提升了二倍频核心结构的转换增益和输出功率，同时基于电感电容的共模谐振结构也优化了二倍频核心部分的输入阻抗和输出阻抗，改善了高频情况下的阻抗匹配效果，提高了二倍频器的工作带宽和输出功率。

本发明授权一种毫米波宽带高功率二倍频器在权利要求书中公布了：1.一种毫米波宽带高功率二倍频器，其特征在于，包括输入匹配网络I、基于电感电容共模谐振的二倍频单元II、输出匹配网络III； 所述输入匹配网络I由初级电感线圈LS1与次级电感线圈LP1耦合形成的变压器结构，以及电容CS1和电容CP1组成；初级电感线圈LS1一端接在基频信号的输入端IN，另一端接地，电容CS1在信号输入端IN与地之间与初级电感线圈LS1并联；次级电感线圈LP1一端接在二倍频单元中晶体管M1的栅极，另一端接在二倍频单元中晶体管M2的栅极，电容CP1接在二倍频单元中两晶体管栅极之间，与次级电感线圈LP1并联；二倍频单元偏置电压Vb1通过电阻R1接在次级电感线圈LP1的中心抽头位置，电容C1一端接在次级电感线圈LP1的中心抽头位置，另一端接地； 所述基于电感电容共模谐振的二倍频单元II由晶体管M1、晶体管M2，以及参与电感电容共模谐振的电感L1、电感L2、电容C3、电容C4组成；晶体管M1和M2的源极直接接地；晶体管M1和M2的栅极分别与输入匹配网络中次级电感线圈的两端相连，作为基频信号的输入；晶体管M1和M2的漏极直接相连接在输出匹配网络III的一端；参与电感电容共模反馈的电感L1和电容C2串联，串联后一端接在晶体管M1的栅极、另一端接在晶体管M1的漏极；电感L2和电容C3串联，串联后一端接在晶体管M2的栅极、另一端接在晶体管M2的漏极；电感L1与电感L2之间耦合系数为K3； 所述输出匹配网络III由初级电感线圈LS2与次级电感线圈LP2耦合形成的变压器结构组成；初级电感线圈LS2一端接在基于电感电容共模谐振的二倍频单元的漏极输出，另一端接在为晶体管M1和晶体管M2供电的电源VDD1；次级电感线圈LP2一端接在二次谐波信号的输入端OUT，另一端接地；电容CP2在信号输出端OUT与地之间与次级电感线圈LP2并联。

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