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龙图腾网获悉芜湖映日科技股份有限公司申请的专利一种IZrO透明导电薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119553228B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411762647.8，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种IZrO透明导电薄膜及其制备方法和应用是由鄢波;曾墩风;王志强;曾探;陈光园设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IZrO透明导电薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及材料科学技术领域，尤其涉及一种IZrO透明导电薄膜及其制备方法和应用。本发明的IZrO透明导电薄膜，是先将氧化铟靶材和掺杂性氧化锆靶材通过磁控共溅射制备得到IZrO薄膜在对其进行热处理得到，所述的IZrO透明导电薄膜，表面平整且均匀，并且导电性能优异，且具有优异的光学透过性，在400‑1000nm下透过率不低于95.4％，将其应用于光伏电池时，电池在400nm至1000nm波段内具有良好的响应，且在85℃、85％相对湿度下，电池性能在1000h后仍保持稳定。

本发明授权一种IZrO透明导电薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种IZrO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法如下： （1）将100-200g粒径为70-100μm的氧化锆粉末置于200-400ml浓度为5-8mol的稀盐酸溶液中，在50-100℃下，反应2-3h，过滤，采用无水乙醇洗涤三次，在真空、30-100℃下，干燥18-24h，得到表面粗糙化的氧化锆粉末； （2）将100-150g表面粗糙化的氧化锆粉末和200-300g四氯化硅混合，搅拌均匀，静置3-4h，过滤，在40-50℃下干燥20-24h，得到掺杂性氧化锆粉末； （3）将100-150g掺杂性氧化锆粉末在400-700rpm下球磨4-6h，随后在100-150MPa下压制160-240s，得到素胚，然后将素胚在1400-1650℃进行高温烧结，保温时间为2-4h，得到密度为5.2-5.4gcm3的掺杂性氧化锆靶材； （4）将掺杂性氧化锆靶材和氧化铟靶材进行磁控共溅射，得到厚度为50nm的薄膜，其中，磁控溅射的功率为100-150W，氧气和氩气的流量比为1:10，真空度保持在1×10-3Torr，加热温度450-600℃； （5）将薄膜在300-500℃下热处理4-6h，得到IZrO透明导电薄膜。

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