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乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司;广东省寓创电子有限公司汪启桥获国家专利权

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龙图腾网获悉乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司;广东省寓创电子有限公司申请的专利一种利用无电扩孔制备高压腐蚀箔的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119764057B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411735642.6,技术领域涉及:H01G9/00;该发明授权一种利用无电扩孔制备高压腐蚀箔的方法是由汪启桥;陈锦雄;江国东;温庆桦;罗向军;麦健航;李洪伟设计研发完成,并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种利用无电扩孔制备高压腐蚀箔的方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种利用无电扩孔制备高压腐蚀箔的方法,属于铝电解电容器技术领域。所述方法包括:前处理、发孔处理、中处理、一级扩孔处理、二级扩孔处理、后处理;采用两段无电扩孔方法,在第一段扩孔中月桂酸聚乙二醇酯能够减弱铝箔表面的剥蚀,通过调整月桂酸聚乙二醇酯的添加量,保证了铝箔孔洞的内部有效生长;在第二段扩孔中通过调整乙醇酸的添加量,减弱了铝箔表面剥蚀,减缓了铝箔孔洞内部的过快生长。两段无电扩孔改善了扩孔过程的腐蚀箔孔洞均匀性,提高了无电扩孔的比容。本发明制备的中高压腐蚀箔的孔洞生长有序可控,高压腐蚀箔520V容量为0.900~0.920μFcm2。

本发明授权一种利用无电扩孔制备高压腐蚀箔的方法在权利要求书中公布了:1.一种利用无电扩孔制备高压腐蚀箔的方法,其特征在于,包括以下步骤: S1.前处理:将铝箔在盐酸中前处理; S2.发孔处理:将步骤S1处理后的铝箔在25~35wt%硫酸和2~8wt%盐酸的混合溶液中进行电解,发孔处理的温度为65~75℃,发孔处理的时间为80~120s,电流密度为0.1~0.8Acm2; S3.中处理:将步骤S2处理后的铝箔在0.5~1.5wt%盐酸中处理,处理的温度为30~40℃,处理的时间为60~120s; S4.一级扩孔处理:将步骤S3处理后的铝箔在5~10wt%盐酸和月桂酸聚乙二醇酯的混合溶液中进行一级无电扩孔,月桂酸聚乙二醇酯的含量为0.1~1gL,无电扩孔的温度为70~85℃,无电扩孔的时间为600~800s; S5.二级扩孔处理:将步骤S4处理后的铝箔在1~5wt%盐酸和乙醇酸的混合溶液中进行二级无电扩孔,乙醇酸的含量为0.5~2gL,无电扩孔的温度为70~80℃,无电扩孔的时间为600~800s; S6.后处理:将步骤S5处理后的铝箔进行后处理。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司;广东省寓创电子有限公司,其通讯地址为:512721 广东省韶关市乳源县开发区;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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